第五章 集成运算放大电路.pptVIP

国家半导体，国内F007，5G24 国外，ua741 Cmos线性度好，温度特性好，电路结构简单 集成电路的许多特性都和输入级相关 三种形式：基本，长尾，恒流源 差模反应信号 显然，减小共模输出电压，提高共模抑制比的方法， 一是使电路尽可能对称，另一个就是增大Ree。但实际电路完全对称是不可能做到的，所以总有共模分量输出。Re的增大受到发射极电源电压EE的限制。 共模流过2Ic，让Ve增加 差模电流变化为0 因为Ie不变，Ue相当于固定电位，所以可忽略。 由于输出c一边增加，一边减小，所以相当于在RL/2电位为0 我们要寻找这样一种电阻： 它对直流呈现很小的阻值， 而对交流呈现非常大的阻值，可用第二章中介绍的恒流源电路来代替电阻Re。 因为Re越大，负电源就要越大，因此考虑采用三极管代替长尾电阻Re。 Rb1和Rb2分压，不受温度影响 Ad,Rid,Ro 下页 上页 第二代以μA741（我国的F007或5G24）为代表， 它的特点是普遍采用了有源负载， 因而在不增加放大级的情况下可获得很高的开环增益。 由于放大级由三级减为两级， 使防止自激的校正措施比较简单。 电路中还有短路保护措施，防止过流造成损坏。 首页 下页 上页 第三代以AD508（我国的4E325）为代表， 它的特点是输入级采用了超β管，使IIB、 IIO和αIIO等项参数值大大下降。 在版图设计方面，输入级采用热对称设计，使超β管产生的温漂得以抵消，因此在失调电压、失调电流、开环增益、共模抑制比和温漂等方面的指标都得到改善。 第四代以HA2900为代表， 它的特点是制造工艺达到大规模集成电路的水平。 输入级采用MOS场效应管，输入电阻高达100MΩ以上，采取调制和解调措施，成为自稳零运算放大器，输入电压和温漂进一步降低，一般无需调零即可使用。 首页 1. 高精度型 下页 上页 二、专用型集成运放的特点 主要特点是温漂和噪声很低，而开环增益和抑制比很高，从而大大减小集成运放的误差，达到很高的精度。 2. 低功耗型 低功耗型集成运放的静态功耗比通用型低1~2个数量级（不超过毫瓦级），要求的电源电压很低，可用电池供电，也可在标准电压范围内工作。当在低电源电压下工作时，不仅静态功耗低，而且能保持良好的技术性能。 首页 3. 高阻型 高阻型集成运放通常利用场效应管组成差分输入级，有的集成运放则全部用MOS工艺制成。高阻型集成运放的输入电阻高达1012Ω。 4. 高速型 高速型集成运放的主要特点是在大信号工作状态下具有优良的频率特性。它们的转换速率可达每微秒几十至几百伏，甚至高达1000V/μs。单位增益带宽可达10MHz，甚至几百兆赫。 下页 上页 首页 上页 5. 高压型 某些应用场合需要集成运放能输出更高的电压，此时应选用高压型集成运放。 这种集成运放的特点是输出电压动态范围大，电源电压高，因而集成运放的功耗也高。 6. 大功率型 大功率型集成运放在提供较高的输出电压的同时，还能给出较大的输出电流，最后在负载上可以得到较大的输出功率。 首页 第六节 集成运放使用中的几个具体问题 集成运放参数的测试 使用中可能出现的异常现象 集成运放的保护 下页 总目录 一、集成运放参数的测试 当选定集成运放的产品型号后，通常只要查阅有关器件手册即可得到各项参数值，而不必逐个测试。 但手册中给出的往往只是典型值，由于材料和制造工艺的分散性，每个运放的实际参数与手册上给定的典型值之间可能存在差异，因此有时仍需对参数进行测试。 参数的测试可以采用一些简易的电路和方法手工进行。 在成批生产或其他需要大量使用集成运放的场合，也可以考虑利用专门的参数测试仪进行自动测试。 下页 上页 首页 二、使用中可能出现的异常现象 下页 上页 1. 不能调零 出现这种异常现象的原因可能是： 调零电位器不起作用；应用电路接线有误或有虚焊点；反馈极性接错或负反馈开环；集成运放内部已损坏等。 如果关断电源后重新接通即可调零，则可能是由于运放输入端信号幅度过大而造成的“堵塞”现象。 为了预防“堵塞”，可在运放输入端加上保护措施。 首页 下页 上页 2. 漂移现象严重 造成漂移过于严重的原因可能是： 存在虚焊点；运放产生自激振荡或受到强电磁场的干扰；集成运放靠近发热元件；输入回路的保护二极管受到光的照射；调零电位器滑动端接触不良；集成运放本身已损坏或质量不合格等。 3. 产生自激振荡 常用的消除自激振荡的措施主要有： 按规定部位和参数接入校正网络；防止反馈极性接错，避免反馈过强；合理安排接线，防止杂散电容过大等。 首页 三、集成运放的保护 1. 输入保护 下页 上页 - + A uI uO R1 RF VD1 VD2 反相输入保护 同相输入保护 - + A uI uO R1 RF VD1 VD2 R +V -V 限