2011-1模电第1讲.pptVIP

3.1.4 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。 N型半导体——掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。 P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。 1. N型半导体 3.1.4 杂质半导体 因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。 在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。 提供自由电子的五价杂质原子因失去一个电子而成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。 N型半导体示意图 2. P型半导体 因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。 在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；自由电子是少数载流子， 由热激发形成。 空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质 因而也称为受主杂质。 P型半导体示意图 3. 杂质对半导体导电性的影响 3.1.4 杂质半导体 掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响，一些典型的数据如下: T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.4×1010/cm3 1 本征硅的原子浓度: 4.96×1022/cm3 3 以上三个浓度基本上依次相差106/cm3 。 2 掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度: n=5×1016/cm3 本征半导体、杂质半导体 本节中的有关概念 自由电子、空穴 N型半导体、P型半导体 多数载流子、少数载流子 施主杂质、受主杂质 end 3.2 PN结的形成及特性 3.2.2 PN结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿 3.2.5 PN结的电容效应 3.2.1 载流子的漂移与扩散 3.2.1 载流子的漂移与扩散 漂移运动： 在电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。 扩散运动： 由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运动。 3.2.2 PN结的形成 + - 扩散 漂移 * 图中看出，谐波次数越高，幅值分量越小，对原波形的贡献越小，所以在一定条件下可忽略高次谐波。 * 此处说明电压电流等为什麽用相量形式. * 等效电路由三个基本元件构成 * 放大电路存在电抗元件，如电容、电感。因此输入信号的频率不同，电路的输出响应也不同。 模拟电子技术基础 教师: 何俊 电话: 邮箱: 课程事宜 56课时，3.5学分 单独实验开设 闭卷考试，考试成绩占70%，平时成绩30% 先修课程：高数，普通物理，电路分析 后续课程：数字电子技术、高频电子技术、变流技术、传感器、生物医学电子学等 课程结构体系 以非线性器件构成信号放大电路为对象展开讨论。 以半导体放大电路为核心。 放大电路中的负反馈提高放大电路性能。 放大电路中的正反馈产生震荡信号。 功率放大电路 电源 1.1 信号 1.2 信号的频谱 1.3 放大电路模型 1.4 放大电路的主要性能指标 1. 信号： 信息的载体 微音器输出的某一段信号的波形 1.1 信号 处理模拟信号的电子电路称为模拟电路。 模拟信号：在时间和幅值上都是连续的信号。 数字信号：在时间和幅值上都是离散的信号。 2. 电信号源的电路表达形式 电压源等效电路 电流源等效电路 1. 电信号的时域与频域表示 A. 正弦信号 1.2 信号的频谱 时域 B. 方波信号 满足狄利克雷条件，展开成傅里叶级数 ——直流分量 其中 ——基波分量 ——三次谐波分量 方波的时域表示 任意一个周期函数都可以分解为无穷多个不同频率的正弦信号的和。 2. 信号的频谱 B. 方波信号 频谱：将一个信号分解为正弦信号的集合，得到其正弦信号幅值和相位随角频率变化的分布，称为该信号的频谱。 幅度谱 相位谱 C. 非周期信号 傅里叶变换： 通过快速傅里叶变换（FFT）可迅速求出非周期信号的频谱函数。 非周期信号包含了所有可能的频率成分 离散频率函数 周期信号