一种SRAM辅助新型非易失性缓存的磨损均衡方法.pdf

第 4o卷 第 3期 计 算 机 学 报 Vo1．40 NO．3 2017年 3月 CHINESEJOURNALOFCOMPUTERS M ar．2017 一 种 SRAM 辅助新型非易失性缓存的磨损均衡方法 沈凡凡” 何炎祥” 张 军” 江 南” 李清安趵 李建华∞ (武汉大学计算机学院 武汉 430072) ”(武汉大学软件工程国家重点实验室 武汉 430072) 。(合肥工业大学计算机与信息学院 合肥 230009) 摘 要 随着半导体工艺的发展，处理器集成的片上缓存越来越大，传统存储器面临着存储密度低和漏 电功耗高 等问题 日益严峻．近年来 ，新型非易失性存储技术展现出漏 电功耗低、存储密度高和可扩展性强等优点，是最有潜 力构建大容量缓存的新技术．然而，非易失性存储器的写操作次数有限，作为缓存将限制其寿命．同时缓存上的写 操作是不均匀的，存在缓存组间和组 内的写波动，这一访 问特点将导致缓存的每部分磨损不均衡，现有的缓存管理 策略却不能感知缓存 的写波动．为解决这一 问题 ，提 出了SRAM辅助新型非易失性缓存 的磨损均衡 (SRAM-assistEd weArLeveling，SEAL)方法 ，该方法包含写波动感知的缓存块迁移算法 (WriteVariation-awareblOckMigration， WVOM)和 阈值指导的缓存块迁移算法(ThresholdgUidedBlockmigration，TUBI)．SEAL方法重点关注写波动大 的缓存组和写强度高的缓存单元 ，着力减少这部分缓存单元的写压力．WVOM感知缓存组间写波动并迁移写强度 大的缓存组，用于解决组间磨损均衡问题．TUBI迁移缓存组 内写局部性高的缓存块来达到组 内磨损均衡．实验结 果表明，SEAL方法与基准配置相 比，缓存 的磨损程度平均减少了34．2 ，缓存 的平均寿命提升 了 175 ，性能平均 提高了0．735 ，系统的动态功耗平均降低了5．65 ．同时，SEAL方法与最新的研究成果相比，缓存的磨损程度平 均减少 了13．1 ，缓存 的平均寿命提升了2o％． 关键词 非易失性存储器 ；缓存 ；磨损均衡 ；耐久性 ；写波动 中图法分类号 TP303；TP333 DOI号 10．11897／SP．J．1O16．2017．00743 SRAM-AssistedW earLevelingforEmergingNon-VolatileCaches SHEN Fan—Fan’ HEYan—Xiang’， ZHANGJun JIANGNan” LIQing—An’ LIJian-Hua。 ”(ComputerSchool，Wuhan University，Wuhan 430072) (StateKeyLaboratoryofSoftwareEngineering，WuhanUniversity，Wuhan 430072) ”(SchoolofComputerandInformation，HefeiUniversityofTechnology，Hefei 230009) Abstract W ith thedevelopmentofsemiconductortechnology andcomplementarymetaloxide semiconductor(CM OS)scaling，thesizeofOnchipcachememorygraduallyincreasesinmodern processordesign．Thestoragecelldensityoftraditionalstaticrandom accessmemory (SRAM )is very low andSRAM hasbeenclosetothelim itduetoitsphysicalproperty．Furthe