第1章第1节理论基础.ppt

第一章 光电信息技术物理基础第一节 理论基础 二、 光电导效应 三、 光伏效应 四、 热释电效应 * 上一张 章首 下一张 结束 节首 目录 * 1.1.1 能带理论 能带：是现代物理学描写固体中原子外层电子运动的一种图象。 孤立原子 两个原子 多个原子（晶格） 图1.1.1-2 原子的能限和结晶格中的能带之比较 金属（导体） 图1.1.1-3导体内的能带 在外界电场的作用下，价带内的最上面的电子在不违反不相容原理的情况下获得一些额外的少许能量而到能带内附近许多空的状态去。 与无序的热激发明显不同的是受电场激发的电子在与场相反的方向上获得动量，结果在晶体内产生一种集体运动，从而构成电流。 结论：具有如图1.1.1-3 所示那样能带结构的物质应为良导体，换句话说，良导体(也称金属)是那些最高能带未被完全填满的固体。 半金属 有一些物质，它们的原子具有满充壳层，但在固体时由于最上面的满带和一个空带重叠的话，它们成为导体；人们常称这些物质为半金属。 镁（1s22s22p63s2)晶体能带 未满带 未满带 满 带 绝缘体 如物质中的最高能带即价带是满的，而且不与下一个全空的能带重叠。由于价带的所有状态都被占有，电子的能量被”冻结”，即电子不可能改变它们在能带中的状态而不违背不相容原理。激发一个电子的唯一可能性是把它转移到空的导带中；但这可能需要几个电子伏特的能量，因此，一个外加的电场就无法使价带中的电子加速，因而不能产生净电流。所以这种物质称为绝缘体。( 见下图) 对于具有与绝缘体同样能带图的硅和锗，由于原子的平衡间距下价带与导带之间的能隙要小得多( 在硅中为 1.1 eV，在锗中为 0.7 eV )，于是要将价带中最上面的电子激发到导带内时就容易得多了。图1.1.1-6 中示出这种情况。 半导体是这样一些绝缘体，它们的价带和导带之间的能隙约为 1 eV 或更小，因而比较容易用加热方法把电子从价带中激发到导带中。 图1.1.1-6 半导体内的能带 半导体 电子跃迁导致： 在上面的导带中少数电子所起的作用和它们在金属中所起的作用相同 而价带中留下的空态即空穴起着类似的作用，不过它们好象是正的电子 因此，它们有来自导带中的激发电子和来自价带中的空穴的导电性；温度升高时，由于有更多的电子被激发到导带， 所以电导率随温度而迅速增加。 例：当硅晶体温度从250 K 增加到450 K 时，激发电子的数目增加106 倍。 本征半导体 完全纯净和结构完整的半导体称为本征半导体。 N型半导体 P型半导体 半导体分类 N型半导体 每个硅或锗原子贡献4个电子给价带，而每个磷或砷原子贡献5个电子给价带，因此，如果我们把若干磷或砷原子加进硅或锗中，则每增加一个杂质原子，就多一个额外电子。 这些额外的电子(它们不能被容纳在原来结晶体的价带中)占有恰在导带下方的某些分立的能级；其距离可为十分之几电子伏特( 图1.1.1-7 a )。这额外的电子容易被杂质原子释放出来并被激发至导带。于是，激发电子对半导体的电导率有贡献。这种杂质原子，叫做施主；这种半导体叫做 n 型半导体。 图1.1.1-7 半导体中的杂质： (a)施主或 n 型 P型半导体 杂质原子可以比半导体原子具有较少的电子。在基质物质为硅和锗的情况下，杂质原子可以是硼或铝，这两种原子都只贡献3 个电子。在这种情况下，杂质引进空的分立能级 ，这些能级的位置很靠近价带顶( 图1.1.1-7 b )。因此，容易把价带中一些具有较高能量的电子激发到杂质能级上。这个过程在价带中产生空态即空穴。这些电子起着正电子的作用。这种杂质原子叫做受主，这种半导体叫做 p 型半导体。 图1.1.1-7 半导体中的杂质： (b)受主，或 p 型 1.1.2 光电效应 光电效应 外光电效应 内光电效应 光电导效应 光伏效应 光电热效应 一、外光电效应（光电发射效应） 是指物体受到光照后向外发射电子的现象。 1、光电发射第一定律 当入射光线的频谱成分不变时，光电阴极的饱和光电发射电流 IK 与被阴极所吸收的光通量ΦK 成正比。即 IK = SK ΦK 式中SK 为表征光电发射灵敏度的系数。 2、光电发射第二定律 发射出光电子的最大动能随入射光频率的增高而线性地增大，而与入射光的光强无关。即光电子发射的能量关系符合爱因斯坦方程： h：普朗克恒量（6.626055±0.0000040×10-34J.s）； V： 入射光频率； me：