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第三章 半导体光电检测器件及应用 光敏电阻 光生伏特器件--光电池 光电二极管与光电三极管 光热辐射检测器件 各种光电检测器件的性能比较 光电器件的分类 一、按工作波段分 　 紫外光探测器 　　　　　　　 可见光探测器 　　　　　　　 红外光探测器 二、按应用分 　 换能器　 将光能转换成电能，作为能源使用 　　探测器 　将光信息转换成电信息　　　 非成像型　输出非图像信息 　 成像型　　 摄像机 真空摄像管 固体成像器件CCD，CMOS 3.1 光敏电阻 三种形式 ⑴梳状式 　 玻璃基底上蒸镀梳状金属膜而制成；或在玻璃基底上面蚀刻成互相交叉的梳状槽，在槽内填入黄金或石墨等导电物质，在表面再敷上一层光敏材料。如图所示。 ⑵刻线式 在玻璃基片上镀制一层薄的金属箔，将其刻划成栅状槽，然后在槽内填入光敏电阻材料层后制成。其结构如下图所示。 注意：与梳状式的区别，梳状是一片光敏薄膜 ⑶涂膜式 在玻璃基片上直接涂上光敏材料膜后而制成。其结构如右下图所示。 2、光敏电阻在电路中的符号 注意：灵敏度与光电增益的区别 （1）灵敏度是光电导体在光照下产生光电导能力的大小。 （2）增益指在工作状态下，各参数对光电导效应的增强能力。 光电池是一种利用光生伏特效应制成的不需加偏压就能将光能转化成电能的光电器件。 APD的缺点 噪声大是这种管子目前的一个主要缺点。由于雪崩反应是随机的，所以它的噪声较大，特别是工作电压接近或等于反向击穿电压时，噪声可增大到放大器的噪声水平，以至无法使用。但由于APD的响应时间极短，灵敏度很高，它在光通信中应用前景广阔。 光电三极管的应用电路 光电三极管主要应用于开关控制电路及逻辑电路。 热敏电阻应用范围 家用电器（如空调机、微波炉、电风扇、电取暖炉等）的温度控制与温度检测 办公自动化设备（如复印机、打印机等）的温度检测或温度补偿。 工业、医疗、环保、气象、食品加工设备的温度控制与检验。 仪表线圈、集成电路、石英晶体振荡器和热电偶的温度补偿。热敏电阻特点 稳定性好、可靠性高。 阻值范围宽：0.1～1000KΩ 。 光电倍增管的结构及工作原理 光电三极管的主要特性： 光电三极管存在一个最佳灵敏度的峰值波长。当入射光的波长增加时，相对灵敏度要下降。因为光子能量太小，不足以激发电子空穴对。当入射光的波长缩短时，相对灵敏度也下降，这是由于光子在半导体表面附近就被吸收，并且在表面激发的电子空穴对不能到达PN结，因而使相对灵敏度下降。 光谱特性 入射光 硅 锗 λ/nm 400 800 1200 1600 相对灵敏度/% 100 80 60 40 20 0 硅的峰值波长为900nm，锗的峰值波长为1500nm。由于锗管的暗电流比硅管大，因此锗管的性能较差。故在可见光或探测赤热状态物体时，一般选用硅管；但对红外线进行探测时,则采用锗管较合适。 伏安特性 伏安特性 光电三极管的伏安特性曲线如图所示。光电三极管在不同的照度下的伏安特性，就像一般晶体管在不同的基极电流时的输出特性一样。因此，只要将入射光照在发射极e与基极b之间的PN结附近，所产生的光电流看作基极电流，就可将光敏三极管看作一般的晶体管。光电三极管能把光信号变成电信号，而且输出的电信号较大。U为集电极反向偏压 I/mA 0 2 4 6 20 40 60 80 U/V 500lx 1000lx 1500lx 2000lx 2500lx I/mA L/lx 200 400 600 800 1000 0 1.0 2.0 3.0 光敏晶体管的光照特性 光电三极管的光照特性如图所示。它给出了光敏三极管的输出电流 I 和照度之间的关系。它们之间呈现了近似线性关系。当光照足够大(几klx)时，会出现饱和现象，从而使光电三极管既可作线性转换元件，也可作开关元件。 光照特性 暗电流/μA 10 20 30 50 70 T /oC １００ 0 ２００ 40 60 光电流/mA 1 0 2 ３ 4 80 10 20 30 40 50 60 70 T/oC 光电三极管的温度特性 光电三极管的温度特性曲线反映的是光电三极管的暗电流及光电流与温度的关系。从特性曲线可以看出，温度变化对光电流的影响较小（斜率小），而对暗电流的影响很大．所以电子线路中应该对暗电流进行温度补偿，否则将会导致输