开关电源复习1.docx

填空题1、高频开关电源的发展趋势：高频化，模块化，数字化，绿色化。2、开关电源中MOSFET工作在截止区和非饱和 区，试举出一种MOSFET驱动芯片的名称TC4424/UC3724 35页，IGBT的驱动芯片有：PC929，M57926L、M57959L，EXB840、EXB841、EXB850。3、驱动电路一班采用光隔离和磁隔离，光隔离采用光耦合器，而磁隔离采用脉冲变压器 。4、开关电源中电压驱动控制型器件中常用的MOSFET和IGBT。5、肖特基二极管的优点正向压降低，反向恢复时间短，开关时间短，缺点是反向耐压 低，反向漏电流大，温度特性差。6、两根电源线与地线之间的噪声是共模噪声。7、SG3525是电压模式控制的集成PWM芯片，L6562是有源功率因素矫正控制芯片，UC3842是峰值电流模式控制的集成PWM控制器，UCC3895是专用于PWM移相全桥DC/DC变换器的新型控制芯片。8、电流模式控制中电流的检测方法为电阻和电流互感器。9、在软开关技术中，在开关管开通时，使其电流保持在零，或者限制电流的上升率，从而减小电流与电压的重叠区，所谓的零电流开通。在开关管关断前，使其电压保持在零，或者限制电压的上升率，从而减小电流与电压的重叠区，所谓的零电压关断。10、功率因素校正技术分为无源PFC和有源PFC。11、常用的均流电路包括最大电流法和平均电流法