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- 2017-06-06 发布于湖北
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4.1 半导体三极管
4.2 共射极放大电路的工作原理
4.3 放大电路的分析方法
4.4 放大电路静态工作点的稳定问题
4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路
4.6 组合放大电路
4.7 放大电路的频率响应
4.1 半导体三极管
4.1.1 BJT的结构简介
4.1.2 放大状态下BJT的工作原理
4.1.3 BJT的V -I特性曲线
4.1.4 BJT的主要参数
4.1.1 BJT的结构简介
(a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管
4.1.1 BJT的结构简介
半导体三极管的结
构示意图如图所示。
它有两种类型:NPN型
和PNP型。
(a) NPN型管结构示意图
(b) PNP型管结构示意图
(c) NPN管的电路符号
(d) PNP管的电路符号
4.1.1 BJT的结构简介
集成电路中典型NPN型BJT的截面图
4.1.2 放大状态下BJT的工作原理
三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下,通过载
流子传输体现出来的。
由于三极管内有两种载流子(自
外部条件:发射结正偏 由电子和空穴)参与导电,故称为双
集电结反偏 极型三极管或BJT (Bipolar
Junction Transistor)。
1. 内部载流子的传输过程
发射区:发射载流子
集电区:收集载流子
基区:传送和控制载流子
(以NPN为例)
I =I + I
E B C
I = I + I
C nC CBO
放大状态下BJT中载流子的传输过程
2. 电流分配关系
根据传输过程可知 IE=IB+ IC IC= InC+ ICBO
传输到集电极的电流
设
发射极注入电流
I
即 nC
I
E
通常 IC ICBO
I
则有 C
I
E
为电流放大系数。它只
与管子的结构尺寸和掺杂浓度 放大状态下BJT中载流子的传输过程
有关,与外加电压无关。一般
= 0.90.99 。
2. 电流分配关系
又设
1
I
根据 IE=IB+ IC IC= InC+ ICBO nC
I
E
且令 ICEO= (1+ ) ICBO (穿透电流)
I I I
则 C CEO 当I C I CEO 时, C
I I
B
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