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第 卷 第 期 影 像 科 学 与光 化 学 年 月 论 文 显微分析专刊 基于浓硼扩散层的硅纳米线谐振子制备 刘 杨张明亮 季 安王晓东 杨富华 中国科学院半导体研究所 集成技术工程研究中心北京 摘 要纳机电系统 由于具有体积小智能化可靠性高等优点而被广泛研究其中纳 米线谐振子的本征频率能够达到 甚至 可应用于各种高性能的质量传感器谐振器 滤波器等但是要制备形貌规则可控的纳米线谐振子对加工技术要求很高 目前急需一种 工艺简单重复性好三维尺度可控的硅纳米线制备方法本文重点研究了基于浓硼扩散层的 可集成硅纳米线谐振子的制备方法该方法采用电子束光刻定义可控尺度硅纳米线并利用 腐蚀自停止效应实现谐振子的释放文中还采用 对所制备的纳米线谐振子进行 了表征实验结果表明基于浓硼扩散层制备的硅纳米线谐振子形貌规则结构可控可调该 方法能够实现可控制的大面积高产率低成本可集成的硅纳米线谐振子制备 纳机电系统 硅纳米线自上而下法谐振子 关 键 词 文章编号 纳机电系统 是微机电系统 用于高精度传感器高频混频器 等 向小型化高集成低功耗方向进一步发展而拓展 目前一维纳米线材料制备方法多种多样 出的研究领域纳米尺度的谐振器是 的 其制备方法可分为自下而上法和自上而下两种方 重要组成部分特别是纳