低压化学气相沉积氧化锌奈米线光电特性及成长机制之探讨-龙华科技大学.PDFVIP

低壓化學氣相沉積氧化鋅奈米線光電特性及成長機制之探討 低壓化學氣相沉積氧化鋅奈米線光電特性及成長機制之探討 張宇能 李于豪 龍華科技大學程技術研究所材料資源組 摘要 本研究使用低壓化學氣相沉積(LPCVD)法成長氧化鋅奈米線，採用 Zn(C H O ) 為 5 7 2 2 先驅物，實驗分兩梯次，首先使用水平式熱牆化學氣相沈積系統，可成長成奈米柱，經 由使用參雜技術與用銅網為基材可有效的讓奈米柱變細，但成果未盡理想。後來採用垂 直式冷牆化學氣相沈積設備，在過渡金屬緩衝層和電漿表面前處理輔助下，達到較佳的 奈米線成長。經 XRD ，SEM ，及PL 分析結構及光電特性指出在氧氣流量 90 sccm ，氬 氣流量 60 sccm ，沉積壓力210torr ，蒸發溫度 140°C ，沉積溫度 600°C ，沉積時間1 hr 下，可長出線徑約 20nm的奈米線其 PL僅有 380nm 之 near band edge 峰，成果接近國際 水準。 關鍵詞：氧化鋅、奈米線、低壓化學氣相沈積 1. 前言 一 維 奈 米 結 構 (one-dimensional meV) ，適合用來製作短波長的光學或電學 nanostructure)即奈米線 (nanowires)與奈米 激發奈米元件，其電荷載子漂移移動率 柱(nanorods)材料，不僅可做為材料光、 (drift mobility)在更高電場強度才飽和，在 電、磁及機械等物性的基礎研究，並且具 高頻應用 ZnO 元件較 GaN 元件更佳，也 有很大的潛力做為奈米光電元件，如低耗 可作為氣體感應器 (1) 、透明導電層等；相 能奈米線 nanowire LED 、超薄全彩LED 對於三五族元素而言，氧化鋅(ZnO)具備有 顯示器及場發射元件等應用。由於一維量 其所沒有的奈米雷射潛力(2)。 子線結構的光電元件具有優越的特性，因 氧化鋅技術的新趨勢在開發奈米材料 此各種半導體奈米線成長很受到重視；單 藉量子限域效應 (quantum confinement 就微型化的奈米光電元件應用，在微分析 effect) ，拓寬能隙，使波長向短波長移 技術、資料儲存與光學計算等範疇裡，奈 動，利用量子尺寸效應製造的奈米 ZnO 光 米雷射光源的取得與高穩定性的需求特性 電元件，目前以零維的奈米量子點及一維 均被視為是奈米光電技術的一大挑戰。 奈米線為主，其製備方式亦較純熟。當電 隨著科技文明進步對於各式產品微小化 子物質波的波長(λ) 接近材料系統尺寸 的需求越來越大，在傳統的矽晶半導體製 時，材料界面成為一能障，電子形成駐波， 程中，藉由 Top-down的技術以微影蝕刻 能量量子化。量子化對應波長約等同費米 的方式慢慢的遇到瓶頸。由於受到光學繞 波長 (λF) 反比於自由電子密度，金屬電子 射極限 (Diffraction Limit)的限制而無法再 22~1023cm-3 ，λ ~1 nm, 半導體n 密度約 10 F 繼續，成本上也會無法估計。因此給了奈 約 1017cm-3 ，λ ~50 nm ，在ZnO 鍍製過程，