饱和区 截止区 截止区 IB = 0 的曲线以下的区域称为截止区。IB = 0 时,IC = ICEO(很小)。对 NPN 型硅管,当 UBE 0.5 V 时,即已开始截止,但为了使晶体管可靠截止,常使 UBE ≤ 0,截止时集电结也处于反向偏置(UBC 0),此时,IC ? 0 ,UCE ? UCC 。 饱和区 当 UCE UBE 时, 集电结处于正向偏置(UBC 0),晶体管工作于饱和状态。在饱和区,IC 和 IB 不成正比。此时,发射结也处于正向偏置,UCE ? 0 , IC ? UCC/RC 。 IC / mA UCE /V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA IB =0 O 3 6 9 12 4 3 2 1 2.3 1.5 放 大 区 当晶体管饱和时, UCE ? 0,发射极与集电极之间如同一个开关的接通,其间电阻很小;当晶体管截止时,IC ? 0 ,发射极与集电极之间如同一个开关的断开,其间电阻很大,可见,晶体管除了有放大作用外,还有开关作用。 晶体管的三种工作状态如下图所示。 + UBE 0
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