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P 沟道增强型绝缘栅场效晶体管 SiO2 绝缘层 结构示意图 N 型硅衬底 源极 S 栅极 G 漏极 D P+ P+ 　　其工作原理与 N 沟道管相似，接线时应调换电源的极性，电流方向也相反。 　　跨导是表示场效晶体管放大能力的参数，它是当漏 - 源电压 UDS 为常数时，漏极电流的增量 ?ID 与引起这一变化的栅源电压的增量 ?UGS 的比值，即 D S G 符号 　　漏 - 源击穿电压 UDS (BR) 、栅 - 源击穿电压 UGS (BR) 以及漏极最大耗散功率 PDM 是管子的极限参数，使用时不可超过。 *10.7.2　场效晶体管放大电路 下图是 场效晶体管的分压式偏置共源极放大电路 C1 +UDD + S G D RD RG1 RG RG2 T RS RL CS C2 + ui ? + uo ? 分压式偏置放大电路 　　静态时，电阻 RG 中无电流，栅 - 源电压为 式中，VG 为栅极电位。 　　当有输入信号时，由交流通路可得输出电压为 S G D RD RG1 RG RG2 T RL 分压式偏置放大电路的交流通路 + ? + ? 电压放大倍数为 式中，的负号表示输出电压和输入电压反向。 放大电路的输入电阻为 放大电路的输出电阻为　　ro ? RD 。 　　[例 1]　在分压式偏置共源极放大电路中，已知 UDD = 20 V，RD = 5 k?，RS = 1.5