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维普资讯 第 28卷 第 3期 物 理 学 进 展 V01．28No．3 2008年 9月 PR()GRESS IN PHYSICS Sep．2008 文章编号：1000—0542(2008)03—21521 自旋角动量转移效应 的实验研究 姜 勇 (北京科技大学材料科学与工程学院，自旋电子材料研究室，北京 100083) 摘要 ： 近几年来，自旋角动量转移效应引起了人们越来越多的关注。这种效应会带来所谓的新一代电流驱动磁 性存储或逻辑器件 ，例~lJi_X_用 自旋角动量转移效应进行数据写入的磁随机存储器、磁纳米线跑道存储器 以及 电流 驱动的微波发生器等等。本文简单介绍了近几年国际L在 自旋角动量转移效应实验研究方面的一些重要成果。 关键词 ：自旋角动量转移；电流驱动；巨磁电阻；隧穿磁电阻 中图分类号：7570；7225；7570P；755OR 文献标识码 ：A 也是急需要解决的难题之一。 O 引言 … 上个世纪 8O年代，人们在金属磁性多层膜中发 ■ ■ll■ 现了巨磁 电阻效应 (GMR)，即磁性多层膜的电阻值 - - · V _ _ _ ● _ 随外加磁场而发生 巨大变化的行为lll]。GMR发 ■ ■ ■ 现后不到 10年，就被 IBM 公司用来制作计算机硬 圈 圈 盘的读出磁头，从而带来硬盘面存储密度的飞速提 ■ _ ■ 高。GMR效应的两位发现者 PeterGrtinberg和 W 0rdline AlbertFert也因此获得 2007年诺 贝尔物理学奖 。 图1 磁随机存储器的_【作原理的简单示意图 1995年，美国和 日本的两位科学家 J．S．Moodera 和 T．Miyazaki分别独立地在铁磁性隧道结 (MTJ) 中观察到室温下的隧穿磁电阻效应(TMR)_3．4l。除 了都可以用作读出磁头材料以外，GMR和 TMR还 先后被用在磁随机存储器 (MRAM)中。MRAM 是 近几年兴起的一种新型信息存储器件。它是 由 GMR或TMR与现代芯片集成技术结合而成 ]。 与 目前计算机中广泛使用的动态和静态随机存储器 相比，MRAM 具有许多明显的优势。其 中最为突 出的是MRAM 的非易失性一它里面存储的信息不 一 (b) 会因为断电而丢失。MRAM 的应用可能会带来新 图2 (a)传统 MRAM 中的数据写入方式；(b)利用 一 代 “瞬时启动计算机 ”技术 。尽管有这些优势， STT效应的新型数据写入方式 MRAM 的研发进程却远没有人们当初设想的那么 图1所示为磁随机存储器工作原