微奈米加工技术英文期刊期末报告Plasmonictop-hatnano-stararrays.PDFVIP

南臺科技大學 微奈米加工技術 英文期刊期末報告 Plasmonic ‘top-hat’ nano-star arrays by electron beam lithography 班級：奈米四乙 學號： 姓名： 4A214026 陳楚均 4A214088 王士修 4A214095 周承澤 4A214097 林京融 指導老師： 莊承鑫 老師 日期： 105/12/30 摘要 在本文中，主要講述電子束光刻 （EBL）的電子輻射最佳劑量的關鍵參 數，讓具有電場增強“頂帽”的金納 米結構可以使用EBL 製造。來測量這 些陣列的反射率數據，以評估它們在 生物傳感中的潛在應用。 介紹 聚焦離子束、電子束蝕刻 (e beam) 和奈米壓印蝕刻，是很好控制奈米結 構的制形狀和大小，電子束光刻，而 金是一個特別適用於這種結構的合適 材料，尤其是使用 EBL使他能夠製造 出 10nm的理想條件。 不幸的是，EBL 在厚的抗蝕劑層中解析度差能然是個 問題，這是由於電子束能量位置輪廓 變大，在抗蝕劑內部通過在抗蝕劑和 基板中的電子散射，因此，製造複雜 化的奈米結構仍然是有挑戰性的。 文中展示了一種技術來放置一個‘頂 和異丙醇液體中，並超音震盪清洗 2 帽’盤在奈米星內的中心孔的頂部， 分鐘，然後用氮氣吹乾 這種“頂帽”以增強局部電場在圓形 2.晶圓兩面都 旋轉 塗佈聚甲基丙烯 圖案上，而它們在星形圖案上應該也 酸甲酯 (PMMA)光阻，其中重量百分比 是有效的，就是使用兩層 PMMA 來改善 4%的 495K和重量百分比 2%的 950K 離舉法的製程，蝕刻不同大小、週期 PMMA (Microchem GmbH) ，用於底層和 含劑量的設計。旋轉塗佈對參數的影 頂層抗腐蝕 。此時，只能用苯甲醚當 響像是光阻厚度和基板上劑量的需求 溶劑 的都是被認定的， 最後，使用 EBL和 3.每層塗佈完抗腐蝕液後，用 185 ℃ 光學性能，製造一個陣列複雜的金奈 軟烤 10 分鐘 米星。 4.用橢偏儀測量表面 雙層 PMMA的厚度 為約 100nm （±10nm）。 5.將晶圓裸露 在有 Raith Elphy量子 製程 系統的JEOL-7800 FE-SEM 並設定好的 1.把 p-type Si(100)晶圓浸泡在丙酮 EBL 系統中 6曝光在加速電壓. 20 kV 、劑量因子為 United States)的 10項 60~360μ C/cm2的 EBL中 7.在室溫下將晶圓放在 1:3的甲基異 丁基酮（MIBK ）和異丙醇 （IPA）溶液 中顯影 31秒，然後用異丙醇漂洗並用 氮氣吹乾 8晶圓沉積.