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表面复合 现象：非平衡载流子的寿命受样品的形状和表面状态影响；对于同样表面情况，样品越小，寿命越短。 表面处的杂质和表面特有的缺陷在禁带形成有效的复合中心，因此，表面复合属于间接复合 俄歇（auger）复合 定义：载流子从高能级向低能级跃迁，发生电子空穴复合，把多余的能量传给另一个载流子，使之被激发到更高的能级上，而该载流子又会释放声子，重新回到原来的能级。 俄歇复合是影响半导体器件发光效率的重要原因 俄歇电子效应与俄歇电子谱AES 连续性方程 连续性方程确实反应了半导体中少数载流子运动的普遍规律，是研究半导体器件原理的基本方程之一 4.5 双极输运 定义 对于小注入的情况，双极输运的性质主要由少子输运性质决定 小注入情况 第一次作业 如何定量描述半导体的导电性？ （详细，类似论文） * 第二章 载流子的输运现象 载流子的漂移运动 载流子的扩散运动 Einstein关系 Hall 效应 内容摘要 2.1 载流子的漂移运动 2.1.1 漂移的电流密度 2.1.2 迁移率 2.1.3 电导率 2.1.4 强场电输运 2.1.5 速度过冲与近弹道输运 载流子在电场下的漂移 迁移率 定义 内在原因 影响迁移率的因数：温度和掺杂浓度 散射机制：声子散射和杂质散射 平均自由程 驰豫时间和驰豫时间近似 As a semiconductor, Si has an average performance, but in most cases SiO2 is an excellent insulator. 更高的迁移率 CNT 100000 0.3-1.5eV 100000 400 160 迁移率比较 迁移率注意 迁移率是材料的特性，不是器件特性 迁移率决定器件特性的上限 饱和速度和迁移率同样重要 迁移率的使用要注意范围 晶格散射和声子 电导率 电导率随杂质浓度变化曲线 电导率随温度变化 强场下输运 热载流子 载流子平均速度随电场的变化关系 速度饱和 谷间电子转移和负微分迁移率 近弹道输运 弹道输运定义 弹道晶体管及其实现条件 2.2 载流子的扩散运动 2.2.1 扩散电流密度 2.2.2 总电流密度 2.3 Einstein关系 感生电场 Einstein 关系 2.4 Hall效应 用途： 测试载流子浓度 测试载流子迁移率 分清载流子类型 霍尔元件 DC: 电流/电压工作模式 霍尔传感器及其应用 霍尔传感器：磁信号 电信号 特点：无接触、抗环境干扰能力强、和IC完全兼容 磁场测量范围：地磁场（~0.5G）-105 G 市场需求：20亿只/年 测速 无接触开关 霍尔效应 应用举例：汽车 Company Logo 霍尔传感器: 霍尔元件，霍尔IC 市场上已有的霍尔元件： GaAs，InSb，InAs, InAs QW(quantum well) 市场上已有的霍尔IC: Si/Hybrid Hall IC 霍尔元件主要指标：灵敏度，分辨率，温度系数，线性度 灵敏度(S)/分辨率: SiGaAsInSb 温度稳定性：InSbSiGaAs Silicon ？？ Silicon ！！ InSb Hall Element By AKM Ltd. 性能指标与材料基本参数的关系 灵敏度(S) 绝对灵敏度 电流相对灵敏度 电压相对灵敏度 n μ (固定功率下的霍尔电压) 分辨率(最小可探测度Bmin)~Noise/SA ~ n μ vsat 温度系数: nμ 对温度依赖小 线性度: 磁阻(物理磁阻,几何磁阻)小 能带结构简单,对称 （物理磁阻小） 非平衡半导体中的载流子 主要内容 第一节 载流子的产生和复合 第二节 准费米能级 第三节 复合理论 第四节 连续性方程 第五节 双极输运 载流子的产生和复合 定义： 产生 复合 产生原因：光激发，电注入 平衡态半导体 过剩载流子的复合 平衡载流子浓度 非平衡载流子总浓度 过剩载流子浓度 过剩载流子的产生率 过剩载流子的复合率 过剩载流子的寿命 非平衡载流子的寿命 非平衡载流子寿命： 非平衡载流子浓度减小到初始1/e所需要的时间 测量方法：直流光电导衰减法 Ge Si GaAs 准费米能级 在非平衡态，电子和空穴各自处于热平衡，而导带和价带处于不同状态，可以引入导带费米能级和价带费米能级，这就是准费米能级 准费米能级偏离费米能级越远，载流子浓度越多 多子的准费米能级偏离费米能级较小，少子则偏离较大 平衡态时，多子和少子费米能级重合 准费米能级分开的大小反映了半导体偏离平衡态的程度 复合理论 分类：直接复合和间接复合（还有激子复合） 释放能量的方式