现代半导体器件第二十一讲要点分析.pdfVIP

现代半导体器件 刘 飞 Tel Email：liufei@mail.sysu.edu.cn 中山大学理工学院 第五章 结型场效应晶体管 5.1 JFET 结构与工作原理 5.2 MESFET 5.3 JFET 直流特性 5.4 直流特性的非理想效应 5.5 JFET 交流小信号特性 上一节 回忆 (1)试简述弱场下大注入所引起的有效基区扩展效应？ 其中弱场指的是什么？ (2)什么叫做发射极电流集边效应？试对这个效应物理 过程作简单解释？ (3)集电极最大I 的定义是什么？实际应用怎样选取I ？ CM CM (4)晶体管的安全工作区是如何规定的？二次击穿对其 有何影响？ 5.5 JFET交流小信号效应 一、JFET低频小信号参数 1. JFET低频小信号输入下的基本假设： (1)采取准静态近似:将交流下I－V关系用直流关系处理; (2)忽略电荷的储存效应:小信号下,端电压变化《kT/q。 2. 跨导gm ： (1) g 的定义：V 一定时，I 随V 的变化率； m DS DS GS ∂I (2) 表达式： DS ； g m ∂V GS V DS (3)物理意义:a.g 反映栅极电压对漏极电流的控制能力; m b.gm称为JFET的增益。 5.5 JFET交流小信号效应 (4)g 的具体求解过程： m G 0 ( ) V V +gV − V − V − m DS D GS D GS V p 0 a. 线性区中：即V 很小时，(V 《V－V ) DS DS D GS G V 0 DS g m1 2 ( V V ) V − p D GS0 ⎡V V − ⎤ D GS g G − ⎢1 ⎥ b. 饱和区中: 即发生夹断之后 ms 0 ⎢ V ⎥