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15三 晶体管的频率特性与混接等效电路
Physics of Semiconductor Devices
晶体管的频率响应
混接π型等效电路
§ 3.8、 § 3.9
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在低频时,电流增益与工作频率无关,但在达到一定的临界频率之后增益幅度下降。
正向有源工作模式,晶体管小信号的共基极和共发射极电流增益定义为:
一 晶体管的频率响应
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共发射极截止频率
共基极截止频率
特征频率
典型的电流增益与工作频率关系
ωT
hFE
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ωa (也称 a 截止频率)是当共基极电流放大系数a降到a0的0.707倍时所对应的频率。
a0 低频电流增益
ω=ωa , a= 0.707a0
此时a 的分贝值下降3dB,所以ωa 也称为3-dB频率。
1、共基极截止频率
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ω β(也称β截止频率)是当共发射极电流放大系数 β 下降到低频 β0的0.707倍时所对应的频率。此时 β 的分贝值下降3dB。
式中:
2、共发射极截止频率
ω β =ωa (1-a0)
?
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随着频率的增加,晶体管的共射极电流放大系数|β|降到1时所对应的频率。显然,ωT 才能比较确切地反映出晶体管的高频性能:当频率ωT 时,βl,晶体管有电流放大作用,当频率ωT 时,β1,晶体管就没有电流放大作用了。所以特征频率ωT 是判断晶体管是否能起电流放大作用的一个重要依据,也是晶体管电路设计的一个重要参数。
3、特征频率(增益-带宽乘积)
共发射极工作的截止频率即:带宽
取ω= ωT, Ihfel =1,有:
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再由:
说明:共发射极截止频率ωβ要比ωa低得多,但增益-带宽之积接近于ωa 。
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4、最高振荡频率fM 和高频优值
fT (ωT)仅仅反映了晶体管具有电流放大作用的最高频率,但还不能表示具有功率放大能力的最高频率,因为在 f fT 时, β 1,但仍可能有功率放大作用。
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频率较高时,晶体管的输入阻抗基本上等于基区电阻,故输入功率为:
负载上得到的功率(即输出功率)为:
功率放大倍数(功率增益)为:
可见,虽然在f fT 时, β 1 ,但负载电阻Rc可以比 rb 大得多,所以仍有GP 1,即晶体管仍有功率放大能力。
功率放大电路
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但当频率继续升高时,Rc的数值就不能取得太大了。这是因为要得到最大功率输出,负载阻抗必须与晶体管的输出阻抗相等,这称为阻抗匹
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