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第四节 场效应晶体管 场效应管的特点： 输入阻抗高、温度稳定性好、低噪声、易集成化 分类： 结型(JFET)和绝缘栅型(MOS) 一、结型场效应管(JFET) 1 结构与工作原理 场效应管(FET)是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，属于压控器件。由于它仅靠多子参加导电，又称单极型晶体管。 结型场效应管又有N沟道和P沟道两种类型。 (FET) Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 场效应管结构特点 N·JFET的结构及符号 两个PN结之间的N沟道 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ①UDS决定耗尽层的楔形程度 ②UGS决定沟道的宽窄 ③UDS、UGS同时作用 场效应管工作原理 N沟道在耗尽层楔形基础上，随UGS作宽窄变化，从而控制ID的大小。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. （1）转移特性及特征方程 ①当UGS=0时，N沟道最宽，ID最大，记作IDSS，称最大饱和漏电流。 ②当UGS＜0时，两个耗尽层加厚，ID成指数规律下降，其特征方程为 ③当 时，N沟道被夹断，ID≈0，管子截止。 2 结型场效应管的特性曲线 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. （N·JFET的特性曲线） （2）漏极特性 可变电阻区、 （漏极特性与BJT管的输出特性相仿，也分为三个区） 饱和区(恒流区) 、 击穿区 iD几乎仅决定于uGS 夹断电压 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. P·JFET P·JFET的特性曲线 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 二、绝缘栅场效应管（MOS管） JFET的缺点 MOS管的特点 MOS管分为四种类型：N沟道耗尽型管、N沟道增强型管、P沟道耗尽型管和P沟道增强型管。 输入阻抗高、栅源电压可正可负(耗尽型)、耐高温、易集成。 （1）结构与符号 1 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管（N沟道耗尽型MOS管） Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. （2）N沟道的形成 （N沟道的形成与外电场对N沟道的影响 ） 控制原理（分四种情况讨论） ① 时，外电场UGS使SiO2中的正电荷数目增加，N沟道中的电子数量随之增加，沟道变宽，沟道电阻减小，漏电流成指数规律增加。 ② 时，N沟道已经存在，因此 不为零，仍记作IDSS，但不是最大值。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ③ 时，外电场使SiO2绝缘层中正电荷的数目减少，沟道变窄，沟道电阻增加，漏电流ID成指数规律减小。 ④ 时，SiO2层中的正电荷全部被中和，N沟道不存在了，沟道电阻为无穷大，漏电流 ，管子截止。