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2017-06-07 发布于浙江
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6平衡状态下的半导体.ppt

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6平衡状态下的半导体

第6章平衡状态下的半导体;6.1 半导体的能带结构; ;导带底附近;二.常见半导体的能带结构;(2)价带;2. Ge的能带结构;3. GaAs的能带结构;4. Eg与温度T的关系;6.2 本征半导体和杂质半导体;2.半导体呈本征型的条件;(1) 施主杂质;(2) 施主杂质能级;氢原子基态电子的电离能;2. P型半导体;(2) 受主杂质能级;3.杂质补偿（施主和受主杂质同时存在）;半导体呈P型;6.3 热平衡载流子的统计分布;对于自由电子;三.载流子的统计分布;3.本征半导体、轻掺杂半导体用玻尔兹曼分布函数描述;4.重掺杂半导体用费米分布函数描述;四.热平衡载流子浓度;2.价带空穴浓度;五.本征半导体的费米能级和载流子浓度;在一定温度下，任何非简并半导体的热平衡载流子浓度乘积 n0p0都等于该温度时的本征载流子弄得ni的平方，与杂质无关。;用和表示和 ;1.杂质能级上载流子的分布函数;杂质基本未电离;B:电离受主浓度;;(3) 强电离饱和区;联立;电中性条件;6.4 简并半导体;二．简并化条件;;四．简并时杂质没有充分电离;形成新的简并导带