五 场效应管放大电路.pptVIP

N 沟道耗尽型 MOS 管特性 工作条件： vDS 0； vGS 正、负、零均可。 iD/mA vGS /V O UP (a)转移特性 IDSS 符号 S G D B (b)输出特性 iD/mA vDS /V O +1V vGS=0 -3 V -1 V -2 V 4 3 2 1 5 10 15 20 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 5.3.4 P沟道MOSFET 1. P沟道增强型MOS管的开启电压VT 0 当UGS VT ，漏-源之间应加负电源电压 管子才导通,空穴导电。 2. P沟道耗尽型MOS管的夹断电压VT ＞0 VT 可在正、负值的一定范围内实现对iD的控制，漏-源之间应加负电源电压。 S G D B P沟道 S G D B P沟道 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 种 类 结型 N 沟道 结型 P 沟道 绝缘 栅型 N 沟道 耗尽型 耗尽型 增强型 符 号 转移特性曲线 输出特性曲线 S G D S G D iD vGS= 0V + vDS + + o S G D B vGS iD O VT 　各类场效应管的符号和特性曲线 + vGS = VT vDS iD + + + O iD vGS= 0V - - - vDS O vGS iD VP IDSS O vGS iD /mA VP IDSS O Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 种 类 绝缘 栅型 N 沟道 绝缘 栅型 P 沟道 耗尽型 增强型 耗尽型 符 号 转移特性曲线 输出特性曲线 ID S G D B vDS iD _ vGS=0 + _ _ O iD vGS VP IDSS O S G D B ID S G D B ID iD vGS VT O iD vGS VP IDSS O _ iD vGS=VT vDS _ o _ vGS= 0V + _ iD vDS o + Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Home Next 例5.3.1 已知各场效应管的输出特性曲线如图所示。试分析各管子的类型。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 解: (a) iD0（或vDS0），则该管为N沟道； vGS?0，故为JFET（耗尽型）。 (b) iD0（或vDS0），则该管为P沟道； vGS0，故为增强型MOS管。 (c) iD0（或vDS0），则该管为N沟道； vGS可正、可负，故为耗尽型MOS管。 提示： 场效应管工作于恒流区：（1） N沟道增强型MOS管：VDS0, VGSVGS(th) 0；P沟道反之。 （2） N沟道耗尽型MOS管： VDS0, VGS可正、可负，也可为0；P沟道反之。 （3） N沟道JFET： VDS0, V GS0 ；P沟道反之。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 例5.3.2 电路如图 (a) 所示，场效应管的输出特性如图 (b) 所示 。试分析当uI=2V、8V、12V三种情况下，场效应管分别工作于什么区域。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 第五章 场效应管放大电路