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+ ui - C L VCC VBB + uc - ic Re 与导通角θ有关: 与负载电阻Re有关: 上节内容回顾: 1、高频功率放大器电路组成的特点? 2、晶体管上电流电压波形? 3、LC回路的作用? 4、功率、效率公式? 5、功率、效率与哪些因素有关? 与VCC、VBB、Uim等因素有关 3.2 谐振功率放大器的特性分析 uCE iC t U V u cm CC CE w cos - = 一、C类功放的三种工作状态: 欠压状态:UceminUces,放大区,ic=βib,为尖顶脉冲; 临界状态: Ucemin=Uces, ic为尖顶脉冲;icmax略降; 过压状态: UceminUces,饱和区, ic≠β ib, ic随uce变化,为双顶脉冲;icmax降低; Uces ic ic ib ic icmax icmax icmax icmax 3.2.1 谐振功率放大器的工作状态与负载特性 + ui - C L VCC VBB + uc - ic Re 3.2 谐振功率放大器的特性分析 uBE ic ? VBB ? UBE(on) ui ic gC Uim ? ubemax icmax uCE ic VCC ucemin Uces ubemax ? 1、欠压工作状态:(Ucm较小) Ucm A B uCE t U V u cm CC CE w cos - = C θ 特点:ic为尖顶余弦脉冲,Ucm增大,A点左移,icmax略为下降; uBE ic ? VBB ? UBE(on) ui ic gC Uim ? ubemax icmax uce ic VCC Uces ubemax ? Ucm A B ucemin Ucm太大,A点进入饱和区; ic为中间凹陷的脉冲,Ucm越大,icmax越小; icmax uBE ic ? VBB ? UBE(on) ui ic gC Uim ? ubemax icmax uce ic VCC Uces ubemax Ucm ? A B 结论:Ucm增大的过程,也是欠压---临界----过压的转换过程。 特点:A点处于临界点,同时有较大的icmax和Ucm,故有较大的输出功率; Re 欠压区 过压区 临界区 + ui - C L VCC VBB + uc - ic Re Ic1m Ico Ucm Po Re 欠压区 过压区 临界区 PD Pc 最佳工作状态 最佳负载电阻 二、负载特性 (其它参数一定,负载Re改变) ic uCE ic VCC Uces ubemax Ucm ? A B C + ui - C L VCC VBB + uc - ic Re icmax Sc 高频功放最佳工作状态总结: + ui - C L VCC VBB + uc - ic Re VCC 欠压区 过压区 临界区 VCC 欠压区 过压区 临界区 Ic1m Ico PD PO PC 3.2.2 VCC对放大器工作状态的影响 ic uCE ic VCC Uces ubemax Ucm ? A B C icmax Sc Ucm Ico Iclm 临界 VBB 过压 欠压 O VBB2 uBE ic uBEmax1 uBEmax2 VBB3 ub VBB1 uBEmax3 U’BB ic t 饱和区 放大区 截止区 3.2.3 Uim和VBB对放大器工作状态的影响 P68 复习与讨论题作业:3.5 晶体管的工作范围在放大区和截止区。
2、过压工作状态
特点: ,晶体管的动态范围延伸到饱和区。
3、临界工作状态
此时:, 为尖顶余弦脉冲。
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