MOVPE生长GaN的表面反应机理_辛晓龙.pdfVIP

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2017-06-07 发布于浙江
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MOVPE生长GaN的表面反应机理_辛晓龙

36 7 Vol. 36 No. 7 第卷第期发光学报 2015 7 July ，2015 年月 CHINESE JOUＲNAL OF LUMINESCENCE 文章编号:1000-7032 (2015)07-0744-07 MOVPE 生长GaN 的表面反应机理 1 1* 2 ，3 2 ，3 ，，，辛晓龙左然童玉珍张国义 (1．， 2120 13 ;2 ．， 10087 1 ; 江苏大学能源与动力工程学院江苏镇江北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心北京 3 ．， 523500) 东莞中镓半导体科技有限公司广东东莞摘要: DFT ， MOVPE GaN 。利用量子化学的理论对生长薄膜的表面初始反应机理进行研究通过计算 GaCH NH GaN (0001)-Ga 4 ，GaCH ， 3 和 3 在面的种吸附位的能量曲线发现 3 在各吸附位的吸附能差值不大因 ; NH ， Top ，此容易在表面迁移而 3 在各吸附位的吸附能差值较大最稳定吸附位为位迁移到其他位置需要克。， NH GaCH ， GaN (0001)-Ga ，服较大能垒在此基础上提出了以 3 和 3 为表面生长基元在面连续生长最终形 : ， 1 GaN 3 NH 1 GaCH ，成环状核心的二维生长机理在环状核心形成过程中第个核生长需要个 3 和个 3 可表 Ga (NH )。 2 GaN 1 N ， 2 NH 1 GaCH 。2 示为 2 3 第个核生长可利用已有的个作为配位原子故只需个