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2014年4月15日 现代电子技术 Apr.2014 第37卷第8期 ModernElectronicsTechnique Vol.37No.8 72 72 DMOS Vfsd 之背金工艺窗口研究 陈定平，张忠华，李 理，赵圣哲 （深圳方正微电子有限公司，广东 深圳 518116） 摘 要：一些DMOS产品的Vfsd上限要求做得很低，这样背金工艺的窗口就非常窄、经常发生Vfsd超上限的事件。如 何拓宽背金工艺窗口、满足特殊DMOS产品对Vfsd的苛刻要求，在此研究了背面减薄、背面硅腐蚀和背面注入的主要工艺关 键参数对Vfsd的影响。比较减薄机研磨轮目数后发现，研磨轮目数决定背面粗糙度，进而影响背面SI与背面金属的接触电 阻和Vfsd；比较硅腐蚀有、无活性剂后发现，加了活性剂的背面硅腐蚀速率温和、均匀性好，可减缓切入式减薄机的Vfsd扇形 分布、Vfsd均匀性明显改善。背注能量拉偏后发现，降低背注能量可降低Vfsd的Mean值。综合以上机理分析和实验结果， 找到了背面最佳工艺条件，大大拓宽了背金工艺窗口。在最佳背面工艺条件下，这些特殊的DMOS产品Vfsd超上限几率从 1.5% 下降到0.1% 以下、良率平均上升4% ，此背金最佳工艺可以成为DMOS生产的标准工艺。 关键词：DMOSVfsd超上限；背面减薄；背面硅腐蚀；表面活性剂；背面注入 中图分类号：TN710⁃34 文献标识码：A 文章编号：1004⁃373X（2014）08⁃0072⁃03 Stduy of DMOS Vfsd′s backside process margin CHENDing⁃ping，ZHANGZhong⁃hua，LILi，ZHAOSheng⁃zhe （FounderMicroelectronicsInternationalCo.，Ltd.，Shenzhen 518116，China） Abstract：Since some specialDMOS products require very low Vfsd′s upper limit，the window ofbackside process be⁃ comesverynarrowandthephenomenonofVfsdupperlimithappensquiteoften.Towidenthewindowofbacksideprocessand satisfytheVfsdrequirementofspecialDMOSproducts，theinfluenceofkeyparametersofmainprocessesofbacksidegrinding， backsideSiwetetchingandbacksideinjectiononVfsdvalueisstudied.Accordingtothecomparisonresultofbacksidegrinding wheelswithdifferentmeshnumbers，itisfoundthatthemeshnumberofgrindingwheelaffectstheroughnessonthebackside greatly，as well as the contact resistance between backside Si and backside metal. After comparing Si wet etching with and withoutactiveagent，itisfoundthatsurfactants’injectioncanslow