基于晶体劈的电光晶体半波电压测量.pdfVIP

第 44卷第 9期 光 子 学 报 Vo1．44No．9 2015年 9月 ACTA PH0T0NICA SINICA September2015 do~：10．3788／gzx0912005 基于晶体劈的电光晶体半波 电压测量 裴丽燕 ，马靖 ，许灿华 ，邱鑫茂 ，徐启峰 (福州大学 a．物理与信息工程学院；b．电气工程与 自动化学 院，福州 350108) 摘 要 ：通过测量外加 电压下 电光晶体 的相位延迟来获取半波 电压．基于双折射 晶体劈的偏光干涉法， 将通过 电光 晶体后的偏振光相位延迟量转化为干涉条纹的平移 ，通过定位 暗纹位置进 行精密的线性测 量．实验结果表明：偏光干涉法测量铌酸锂 晶体相位延迟的测量准确度为 4．4×10 rad，所测量铌酸锂 晶体的半波 电压为 480．0V，其测 量误差 为 0．10％，远 小于极值 法 0．96 的测量误 差．偏 光干涉法光路 结构简单 、测量准确度 高、测量 结果不受光功率波动 的影响 ，且 电光 晶体相位延迟量 的测量 范围不受 限制 ． 关键词 ：物理光学；双折射晶体劈 ；偏光干涉法；铌酸锂 晶体 ；相位测量 ；半波电压 中图分类号 ：0436 文献标识码 ：A 文章编号 ：1004—4213(2015)09—0912005—6 M easurementofHalf-waveVoltageofElectro—opticCrystal Based on CrystalW edge PEILi—yan ，MA Jing，XU Can—hua，QIU Xin—mao，XU Qi—feng (a．CollegeofPhysicsandIn}_厂0rmationEngineering；b．CollegeofElectric EngineeringandAutomation，FuzhouUniversity，F ian350108，China) Abstract：Thehalf-wavevoltagewasobtainedby measuring thephaseretardation oftheelectro-optic crystalundertheapplied externalvoltage．Based on polarization interferenceofbirefringentcrystal， phaseshiftofpolarized lightistransferred to the movementofinterferencefringes，and the l~near accuratemeasurement is complemented by locating dark fringes position．The experimentalresults indicatethattheaccuracyofphaseretardationoflithium no~batecrysta1iS4．4×10矗。rad，thehalf-wave voltagethatLN crystaliSmeasuredas480．0V withexperimenta1errorof0．10 ．Comparedwiththe experimentalerrorof0．96 thathalf-wavevoltageismeasuredbyextremum method，themeasuring errorofpolarizationinterferometrymethodisreduced obviously．Theopticalstructureofpolarization interferometrymethodissimplewithh