CVD动力学040322.ppt

化学气相淀积与薄膜工艺Chemical Vapor Deposition Thin Film Technology 孟广耀 Tel:3603234 Fax:3607627 mgym@ustc.edu.cn 中国科学技术大学 材料科学与工程系 固体化学与无机膜研究所 5 淀积过程动力学 5.1化学气相淀积过程动力学概述 5.2淀积速率的实验研究 5.3实验参量对过程控制机制的作用 5.4气—固反应动力学和生长机理 ●动力学分析的一般考虑 ●气-固表面反应过程动力学模型 5.5实际体系举例 5.5.1的外延生长 5.5.2的淀积 5.1化学气相淀积过程动力学概述－淀积过程动力学的基本任务 ? 淀积过程动力学研究是化学气相淀积过程研究的核心课题。其基本任务是通过实验，研究淀积层的生长速率、质量与淀积参数的关系，掌握其规律并确立过程速率的控制机制，以便进一步调整实验条件，改进工艺状况，从而获得表面质量好、晶体完善和厚度均匀的生长层。 ?根据实验规律，从原子和分子尺度推断材料淀积的表面过程，进而深化对过程机理的认识，做为进一步改善工艺条件的依据。 本章以半导体单晶薄膜的气相外延为例，介绍淀积过程动力学的基本概念和处理方法。 5.1 化学气相淀积过程动力学概述 开管气流法化学CVD制备外延单晶的的过程模型描绘。 化学气相淀积过程的步骤 化学气相淀积本质上是一种气—固表面多相化学反应。 参看图4－1，整个淀积过程可以分为下面几个步骤： (1)参加反应的气体混合物向淀积区输运； (2)反应物分子由淀积区主气流向生长表面转移； (3)反应物分子(和某些非反应物分子)被表面吸附； (4)吸附物之间或吸附物与气态物种之间在表面上 或表面附近发生反应，形成成晶粒子和气体 副产物，成晶位子经表面扩散排入晶格点阵； (5)副产物分子从表面上解吸； ? (6)副产物气体分子由表面区向主气流空间扩散； (7)副产物和未反应的反应物分子，离开淀积区， 从系统中排出。 5.1化学气相淀积过程动力学概述  －速率控制步骤 这些步骤是依次接连发生的，最慢的一步决定着总的淀积过程的速率，这个最慢的步骤称为“速率控制步骤”。应当指出，这里最慢的步骤，并非在实际淀积过程中速率最慢，因为当薄膜生长达到稳态生长时，各步速率相等，只不过其它步骤有能力以更快的速率进行。 ●“质量输运控制”或“质量转移控制”： 过程的速率由气体分子的扩散、对流等物理过程所控制；即由步骤(2)、(6)、(7)等物质输运过程控制 ●“化学动力学控制”或“表面控制”： 由固体表面上发生的有关表面吸附、反应、扩散或解吸步骤控制过程的速率 ●“进气控制”或 “热力学控制”： 在衬底附近的反应剂气流与生长表面达到平衡，过程速率取决于供气速率。此时，体系呈现按热力学规律变化的特征，故又称为“热力学控制”。 5.1化学气相淀积过程动力学概述  －速率控制步骤 ●步骤(2)、(6)、(7)是物质输运步骤，表示气体分子在主气流和生长表面间的迁移，是通过扩散、对流等物理过程进行的。由这些步骤控制过程的速率，称为“质量输运”或“质量转移控制”； ●而与固体表面上发生反应有关的吸附、表面反应、扩散和解吸控制着过程的速率，就称做“化学动力学控制”或“表面控制”。 ●如果气流本体和衬底表面间的质量转移以及表面过程进行得都很快，与物料进人生长区[步骤(2)]的速率差不多，此种情况下，反应剂气流在衬底附近就有充分的停留时间，足以跟生长表面达到平衡，则整个过程就可以认为是“进气控制”的。此时，体系呈现按热力学规律变化的特征，故又称为“热力学控制”。 5.1化学气相淀积过程动力学概述  －速率控制步骤－ 大多数气相外延生长，在条件改变时其控制类型也可能改变。 如温度增高，一般由动力学控制转为质量输运控制。速率控制类型不同，不仅生长速率不同，而且外延层的性质也有很大的变化。 鉴别速率控制方式，能够进行理论分析，继而可改进淀积过程或装置，从而获得高质量的材料。 5.1化学气相淀积过程动力学概述  －速率控制步骤与过程机理－ 在化学动力学中，一般所谓“机理”是指从原子的结合关系上描绘化学过程。在化学气相淀积中，“机理”含义更为广泛。 对于动力学控制的过程，“机理”是指原子水平上的表面过程；而对于质量输运控制过程，“机理”必须包括对质量扩散、对流以及重要的热传递过程的详尽描述。 事实上，淀积过程机理研究的首要任务，不仅是查明过程的实际化学反应，还要判断是哪一种控制类型在起作用，然后才