02—第二讲 基本放大电路.ppt

2.3.3 等效电路分析法 二、共射H参数等效模型 对管子的输入输出关系式求全微分： 2.3.3 等效电路分析法 二、共射H参数等效模型 令 正弦稳态分析才可以用向量 2.3.3 等效电路分析法 二、共射H参数等效模型 注意： 交流量 直流量 总量（直流+交流） 2.3.3 等效电路分析法 二、共射H参数等效模型 2.3.3 等效电路分析法 二、共射H参数等效模型 各参数的物理意义： h11e—— 实际上是管子在共射组态下的输入电阻。一般用rbe表示。 rbe与两个因素有关： ● 与基极静态电流IBQ有关； ● 与集电极—发射极电压VCEQ有关。 2.3.3 等效电路分析法 二、共射H参数等效模型 各参数的物理意义： h12e—— 晶体管的反向电压传输系数。 当uce≥1V时， h12e≈0 h12e反映 uce 对管子输入特性曲线的影响。 2.3.3 等效电路分析法 二、共射H参数等效模型 各参数的物理意义： h21e—— 晶体管的电流放大倍数β。 从管子的输出特性曲线上看， h21e与uce有关，但是往往将其近似认为是常数。 2.3.3 等效电路分析法 二、共射H参数等效模型 各参数的物理意义： h22e—— 晶体管的输出电导，往往将其倒数称为管子的输出电阻，用Roe表示。 从管子的输出特性曲线上看，曲线上翘的程度越甚，则h22e越大。但是近似分析时，往往认为该参数为零，即Roe→∞，因为曲线上翘不剧。 2.3.3 等效电路分析法 二、共射H参数等效模型 2.3.3 等效电路分析法 2.3.3 等效电路分析法 2.3.3 等效电路分析法 2.3.3 等效电路分析法 N P N b e c 确定管子的输入电阻rbe： 基区体电阻rb（大约几十欧姆~几百欧姆） 发射结电阻re （正偏） 发射区体电阻（很小，可忽略不计） 2.3.3 等效电路分析法 2.3.3 等效电路分析法 N P N b e c 确定管子的输入电阻rbe： 例题讲解： 例题1 电路如图所示：设电路中 电阻均为已知，管子的β 值、发射结导通压降Vbe 以及管子的饱和压降均为 已知。求： 1．静态工作点； 2．最大不削峰输出电压；（空载和满载） 3．放大器的电压增益、输入电阻、输出电阻（空载和满载） 设管子处于放大区，则： VbeQ可取0.7V或0.3V。 如果求出的VCEQ大于0.3V，则说明假设正确，否则说明管子饱和，则VCEQ≈ 0.3V。 1．求静态工作点 2．求最大不削峰输出电压（空载） 管子输出回路的外电路方程： 纵轴截距： 横轴截距： 0 ic (mA) uce (V) 2 4 6 8 10 12 2 4 6 8 10 12 14 16 18 Ib=70μA Ib=60μA Ib=50μA Ib=40μA Ib=30μA Ib=20μA Ib=10μA Q(ICQ, VCEQ) 0 t ib t 最大不削峰输出峰值电压：1/2Vcc 0 ic (mA) uce (V) 2 4 6 8 10 12 2 4 6 8 10 12 14 16 18 Ib=70μA Ib=60μA Ib=50μA Ib=40μA Ib=30μA Ib=20μA Ib=10μA Q(ICQ, VCEQ) 0 t ib t 饱和截止失真 0 ic (mA) uce (V) 2 4 6 8 10 12 2 4 6 8 10 12 14 16 18 Ib=70μA Ib=60μA Ib=50μA Ib=40μA Ib=30μA Ib=20μA Ib=10μA Q(ICQ, VCEQ) 0 t ib t 截止失真：最大不失真输出电压——（Vcc - VceQ） 0 ic (mA) uce (V) 2 4 6 8 10 12 2 4 6 8 10 12 14 16 18 Ib=70μA Ib=60μA Ib=50μA Ib=40μA Ib=30μA Ib=20μA Ib=10μA Q(ICQ, VCEQ) t 0 ib t 饱和失真：最大不失真输出电压——（VceQ - Vces） 例题讲解： 例题1 负载开路时，放大器的最大不削峰输出正弦峰值电压：Min {(VCEQ-VCES)，(VCC-VCEQ)} 最佳工作点： 2．求最大不削峰输出电压（带载） 交流通路 2．求最大不削峰输出电压（带载） 管子输出端外电路方程： 斜率： 2．求最大不削峰输出电压（带载） 0 Δic Δuce 0 Ic Uce Q(ICQ, VCEQ) 交流负载线，交流量 直流负载线，直流量 交流量+直流量=总量 0 Ic Uce Q(ICQ, VCEQ) 0 Δic Δuce 2．求最大不削峰输出电压（带载） 0 ic (mA) uce (V) 2 4 6 8 10 12 2 4 6 8 10 1