压敏陶瓷精选.ppt

一 功能，用途，种类 二 制备过程 三 结构与性能 四 参考文献 提高烧结温度可以增大压敏电压、非线性系数,同时还获得了 较小的漏电流和介电损耗,但会使介常数略微下降。初 * 压敏电压随晶粒尺寸的增大而减小,但并非是一个线 性关系,因此增大晶粒尺寸可以降低压敏电压。从工艺的角度考虑主要 · 69。 昆明理工大学硕士学位论文第六章压敏与介电性能的模拟分析 有以下两个问题:一是如何控制晶粒生长,并尽可能使晶粒长大一些,: 二是使晶粒大小尽量趋于一致,有利于提高元件的稳定性和一致性。 * 晶粒电阻率小于IOQ.m数量级,也就是说晶粒要充分半导化, 半导化越充分对提高压敏元件的非线性特性越有利。晶界需要有较高的电阻率,并且能随着外加电压的增加而减小, 有利于压敏电阻器发生隧道效应,在低压领域中(IOV左右)获得最佳非 线性特性的范围是晶界电阻率在103一105。。m之间。 * 晶粒电阻率小于IOQ.m数量级,也就是说晶粒要充分半导化, 半导化越充分对提高压敏元件的非线性特性越有利。晶界需要有较高的电阻率,并且能随着外加电压的增加而减小, 有利于压敏电阻器发生隧道效应,在低压领域中(IOV左右)获得最佳非 线性特性的范围是晶界电阻率在103一105。。m之间。 * 压敏陶瓷 xxx 2016年xx日 二氧化钛基压敏陶瓷 搜集资料：xxx 制作PPT：xxx 目录 1 功能，用途，种类 2 制备过程 3 成分，结构，性能 4 参考文献 对外加电压变化敏感的一类半导体陶瓷材料 TiO2 压敏陶瓷 其他压敏 陶瓷 ZnO 压敏陶瓷 SrTiO3 压敏陶瓷 压敏材料是指在某一特定电压范围内具有优异非线性欧姆特性的一种半导体陶瓷材料． 根据这种非线性欧姆特性， 可以用这种半导体陶瓷材料制成非线性电阻元件， 即压 敏 电 阻 器（ ｖａｒｉｓｔｏｒ） ．压 敏 电 阻 器 的 应用很广， 可以用于抑制电压浪涌及过电压保护． 由于压敏电阻器在保护电力设备安全、 保障电子仪器正常稳定工作方面起着重要作用， 且由于其造价低廉、 制作方便， 因此在航天、 航空、 国防、 电力、 通讯、 交通和家用电器等领域得到广泛应用。 ZnO陶瓷 制作工艺简单 性能稳定 非线性系数高 优点 缺点 噪声吸收能力大 介电损耗大 响应速度慢 SrTiO3陶瓷 非线性系数高 压敏电压低 介电损耗低 优点 缺点 原材料昂贵 制备工艺复杂 使用寿命短 其他压敏陶瓷 SiC压敏陶瓷 ：发现最早的压敏陶瓷，主要用作避雷器。 SnO2压敏陶瓷：压敏电阻密度小，非线性系数不高。 WO3压敏陶瓷：具有优良的压敏性能，但介电常数不高。 TiO2压敏陶瓷 金红石结构 室温时的禁带宽度约为3ev,具有金红石、板钛矿、锐钛矿结构，其中金红石结构最为稳定。 TiO2不仅可以制作压敏陶瓷，还可以用于制备湿敏、气敏等多种传感器材料和电容器材料。 TiO2压敏陶瓷 目前存在的问题 介电损耗较大，以漏导损耗为主。 介电损耗：漏导损耗，松弛极化损耗，结构损耗。 称量 在精度为0.1mg的精密电子天平上准确称取所需原料的量 混料 根据料的重量,按照质量比,料:水:球=1:(1.5~2.0):(LS~3.0),以250r/min的转速球磨4小时,使各原料充分混合均匀。 干燥 在电热恒温箱中,.将磨好的料浆在80℃左右烘干,然后过320目标 准筛。 造粒 经球磨,干燥后的粉料加入10%glml的PvA水溶液(5一8)wt%,手研 均匀后过45目标准筛,在40MPa压力下预压成块。然后打碎,再次 过45目标准筛得到具有一定粒度而且均匀分布的粉料。 成型 在粉末压片机上,用200~350Mpa的压力将粉料压制成。10、l.omm 的许多小圆片。 排塑 将成型好的圆片放在电阻炉中,控制升温速率,将加入的有机塑化 剂排出,并使之具有一定的机械强度,为样品的烧结创造条件。 烧结 在大气气氛下,在1250~1320℃范围内烧结2~2.5小时,然后随炉 冷却至室温。 烧后加工 烧结后的样品表面需用金相砂纸手工打磨,使样品表面平整,并 用超声波清洗器清洗。 上电极 将样品的两端面均匀地涂上银浆(Pd一Ag一8075),于600℃烧结15 分钟,使样品两端被上电极,以便测试其电学性能和焊接引线。 压敏陶瓷的结构模型 压敏陶瓷的显微结构 绝缘化的晶界层和半导化的晶粒 半导化 所谓半导化,是指在禁带中形成附加能级:即施主能级和受主能级。 敏感陶瓷绝大部分由各种氧化物构成,由于这些氧化物多数是具有比较 宽的禁带(通常Eg)3ev),在常温下它们都是绝缘体,要使它们变为半 导体,需要一个半导化过程。一般来说,施主能级多数是靠近导带底部, 而受主能级多数是靠近价带