第4章存储系统精品.ppt

判断8088系统中存储系统译码器74LS138的输出 、 、 和 所决定的内存地址范围，如图所示。 例： ≥1 4．SRAM的时序 不同芯片工作时序不同 读出时间tAA ：最大70ns，从地址有效到RAM数据线上出现稳 定数据的时间。是RAM读操作速度快慢的主要指标。 读周期 tRC：70ns（mim），表示连续操作允许最小时间 。 它总是大于或等于读出时间。 （1）读周期 注意： 1、要实现写操作必须要CS1、CS2和WE都有效。 2、在地址改变期间，WE必须为高，以防止地址变化期间可能有误码写入，破坏内存数据。 3、为此，WE必须在地址有效以后经过一段时间才有效，使地址信号足够稳定。 （2）写周期twc 典型的PROM基本存储电路如下图所示。 芯片出厂时，开关管T1与位线（数据线）之间以熔丝相连。 用户可对其进行一次性编程（熔断或保留熔丝以区分“1/0”）： 当加入写脉冲，某些存储单元熔丝熔断，信息永久写入， 不可再次改写。 PROM（Programmable ROM） PROM的写入要由专用的电路（大电流、高电压）和程序完成。 PROM基本存储电路 EPROM（紫外线可擦除） （1）由浮栅雪崩注入的FAMOS器件构成。 （2）当浮栅有足够的电荷积累时，记录的信息为0，没有一定的电荷积累时，信息为1。 （3）用户可以多次编程。编程加写脉冲后，某些存储单元的PN结表面形成浮动栅，阻挡通路，实现信息写入。 （4）用紫外线照射可驱散浮动栅（浮栅上的电荷形成光电流泄漏），原有信息全部擦除（擦除后内容全为“1” ），便可再次改写。 G S D 基本存储电路 EPROM存储器的使用分为三步： 擦除——用紫外线照射15分钟左右即可，擦除干净后，每个位单元的内容为‘1’，或每个字节单元的内容为‘FFH’。 固化（或编程）——用专用的编程工具将程序的机器代码写入到EPROM芯片中去，写入时间通常为几秒钟到几十秒钟。 工作——将EPROM芯片插入目标系统板，通电运行，此时，EPROM中内容只能被CPU读出。 图4.13 EPROM2764引线图 2764：8?K×8?bit 1．EPROM 2764的引线 4.2.2 EPROM D0～D7为8条数据线 CE为输入信号，片选 OE是输出允许信号 PGM为编程脉冲输入端，当对 EPROM编程时，由此加入编程 脉冲，读数据时为1。 A0～A12为13条地址信号输入线 Vpp编程电压 2．EPROM 2764的连接使用　　2764在使用时，仅用于将其存储的内容读出。读出过程与RAM的读出十分类似，即送出要读出的地址，然后使CE和OE均有效(低电平)，则在芯片的D0～D7上就可以输出要读出的数据。 地址范围在F0000H～F1FFFH EPROM的连接实例：利用2732和6264构成00000H～02FFFH的ROM存储区和03000H～06FFFH的RAM存储区。试画出与8088系统总线的连接图 要形成的ROM区域范围为12?KB。使用的EPROM芯片是容量为4?KB的EPROM 2732，因此，必须用3片2732才能构成这12?KB的ROM。 要构成的RAM区域为16?KB。而使用的RAM芯片是静态读写存储器SRAM 6264，它是一片8?K?×?8?bit的芯片，故必须用2片6264才能构成所要求的内存范围。 ROM：00000H～02FFFH RAM：03000H～06FFFH 3．EPROM的编程　　EPROM的一个重要优点就是可擦除重写，而且对其某一个存储单元来说，允许擦除重写的次数超过万次。　　1) 擦除　　那些刚出厂未使用过的EPROM芯片均是干净的，干净的标志就是芯片中所有单元的内容均为FFH。 　若EPROM芯片已使用过，则在对其编程前必须将其从系统中取下来，放在专门的擦除器上进行擦除。擦除器利用紫外线照射EPROM的窗口，一般15～20min即可擦除干净。 2) 编程　　对EPROM的编程通常有两种方式，即标准编程和快速编程。 缺点： 其一是编程时间太长，当EPROM容量很大时,每个单元50ms的编程时间 其二是不够安全，编程脉冲太宽致使功耗过大而损坏EPROM (1) 标准编程。标准编程过程为：将EPROM插到专门的编程器上，VCC加5V，Vpp加上高电压，在PGM端加上50?±?5?ms的负脉冲，这样就将一个字节的数据写到了相应的地址单元中。重复上述过程，即可将要写入的数据逐一写入相应的存储单元中。 (2) 快速编程 EPROM TMC27C040 : 512KB 　　VPP为编