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2017-06-08 发布于河南
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3D封装与硅通孔TSV工艺技术

第30卷第6期电子工艺技术 2009年11月 ElectronicsPfoc妫s Technology 3D封装与硅通孔(TSV)工艺技术郎鹏，高志方，牛艳红 (太原风华信息装备殷份有限公司，山西太原030024) 摘要：在Ic制造技术受到物理极限挑战的今天，3D封装技术越来越成为了微电子行业关注的热点。对3D封装技术结构特点、主流多层基板技术分类及其常见键舍技术的发展作了论述，对过去几年国际上硅通孔(TSV)技术发展动态给与了重点的关注。尤其就硅通孔关键工艺技术如硅片减薄技术、通孔制造技术和键合技术等做了较详细介绍。同时展望了在强大需求牵引下2015 年前后国际硅通孔技术进步的蓝图。关键词：3D封装；硅通孔；IC制造中图分类号：TN605 文献标识码：A of3D andTSV TechnologyPackaging LANG Peng，GAOZhi—fang，NiuYah—hong (TaiyuanFenguhaInformation—equipmentCo．，LTD，Taiyuan030024，China) in— facedthe of has Abstract：IC limits，3Dpackagingtechnology manufacturingchallengesphysical becomethefocusofthemicroelectronics thestructureandcharacteristicsof creasingly industry．Dissertate 3D substrate the packagingtechnology，mainstreammulti—layertechnologyclassification，anddevelop— mentofcommon totheinternational attention of髑V O- technology bondingtechnologies．Pay development verthe few past years，Especially，髑Vkeytechnologies，such嬲waferthinning and outthe7rSV trendwith technology．Give manufacturingtechnologybonding technologydevelopment the around2015． demands strong Keywords：3D package；Through·-silicon——via；ICmanufacturing Document