第7章 半导体存储器与可编程逻辑器件.ppt

7.1 半导体存储器 本章所讲的“半导体存储器” ，它存储数据的方式，和其他时序电路不同。 半导体存储器中所存储的数据，是按照特定的“结构”排列的。这种结构类似于一个二维矩阵，每次读写存储器时，都是从这个二维矩阵中，同时读取或写入一行数据位。 半导体存储器的种类：按采用元件来分，有双极型和MOS型两大类。 双极型存储器：以双极型触发器为基本存储单元，其工作速度快，但功耗大，主要用于对速度要求高的场合； MOS型存储器：以MOS触发器或电荷存储结构为存储单元，它具有集成度高、功耗小、工艺简单等特点，主要用于大容量存储系统中。 目前数字系统中主要选用MOS型存储器。 按存取信息方式分，有只读存储器ROM(Read-Only Memory) 和随机存取存储器RAM(Random Access Memory)两大类。 ROM：只能读出信息，而不能写入信息。它的信息是在制造时用专门的写入装置写入的并可长期保留，即断电后器件中的信息不会消失，因此也称为非易失性存储器。 掩膜ROM 可编程ROM (Programmable Read-OnlyMemory，简称PROM) 可擦除的可编程ROM (Erasable Programmable Read-OnlyMemory，简称EPROM) RAM：可以随时写入或读出信息，但断电后器件中的信息也随之消失，因此也称为易失性存储器。 静态存储器SRAM (static RandomAccess Memory) 动态存储器DRAM (Dynamic Random Access Memory) DRAM的存储单元结构非常简单，其集成度远高于SRAM，但它的存取速度不如SRAM快。 7.1.1 只读存储器ROM ROM的一般结构如下图所示。它主要由地址译码器、存储矩阵及输出缓冲器组成。 ROM的存储单元可以用二极管构成，也可用双极型三极管或MOS管构成。 每个存储单元存放一位二进制代码(0或1)，若干个存储单元组成一个字。 地址译码器有n条地址输入线A0～An-1，则译码器输出线有2n条，即w0～W2n-1条。 每一条译码输出线Wi称为“字线”，它与存储矩阵中的一个“字”相对应。因此，每当给定一组输入地址时，译码器只有一条输出字线Wi被选中，即Wi=1，该字线可以在存储矩阵中找到一个相应的字，并将字中的m位信息Dm-1～D0送至输出缓冲级。 三态控制端使缓冲级工作，读出Dm-1～D0的数据。 每条输出线Di又称为“位线”，每个字中信息的位数称为“字长”。 读出数据时，首先输入地址码，同时使输出缓冲级三态控制端处于工作状态，则在数据输出端D3～D0可以获得该地址对应字中所存储的数据。例如： 当A1A0=00时，W0=1，W1=W2=W3=0，所以W0被选中，读出W0对应字中的数据D3D2D1D0=1100。 当A1A0为01、10、11时，依次读出的数据是1001、1010、1101。该ROM存储的数据如表7-1所示。 7.1.2 ROM在组合逻辑设计中的应用 用ROM实现组合逻辑的基本原理可从“存储器”和“与或逻辑网络”两个角度来理解。 从存储器的角度看，只要把逻辑函数的真值表事先存入ROM，便可用ROM实现该函数。 例如，在表7-1中，将输入地址A1A0视为输入变量，而将D3、D2、D1、D0视为一组输出逻辑变量，则D3、D2、D1、D0就是A1、A0的一组逻辑函数。 用ROM实现组合逻辑函数的方法是：将逻辑函数的输入变量作为ROM的地址输入，将每组输出对应的函数值作为数据写入相应的存储单元中即可，这样按地址读出的数据便是相应的函数值。 从与或逻辑网络的角度看，ROM中的地址译码器形成了输入变量的所有最小项，即实现了逻辑变量的“与”运算。 ROM中的存储矩阵实现了最小项的“或”运算，即形成了各个逻辑函数，如上式所示。 基于这一分析，可以把ROM看作是一个“与或阵列”，如下图所示。图 (b)中，与阵列中的小圆点表示各逻辑变量之间的“与”运算，或阵列中的小圆点表示各最小项之间的“或”运算。该图中的小圆点是根据逻辑表达式画出的。 用ROM实现逻辑函数的步骤： (1) 根据逻辑函数的输入、输出变量数，确定ROM容量， 选择合适的ROM。 (2) 写出逻辑函数的最小项表达式，画出ROM阵列图。 (3) 根据阵列图对ROM进行编程。 7.1.3 ROM的编程及分类 1．掩膜