现代分析技术剖析.ppt

（1）揭开研究微观世界序幕的三大发现 1.显微镜技术 X-ray Beam X-ray penetration depth ~1mm. Electrons can be excited in this entire volume. X-ray excitation area ~1x1 cm2. Electrons are emitted from this entire area Electrons are extracted only from a narrow solid angle. 1 mm2 10 nm Conduction Band Valence Band L2,L3 L1 K Fermi Level Free Electron Level 光：Incident X-ray 发射出的光电子Ejected Photoelectron 1s 2s 2p （1） 光电效应 （Photoelectric Process） 电磁波使内层电子激发，并逸出表面成为光电子，测量被激发的电子能量就得到XPS， 不同元素种类、不同元素价态、不同电子层(1s, 2s, 2p等)所产生的XPS不同。 被激发的电子能量可用下式表示： EK = hv - EB - ?spec 式中：hv=入射光子（X射线或UV）能量， h=Planck constant ( 6.62 x 10-34 J s ), v - frequency (Hz) EB =电子键能或结合能、电离能（Electron Binding Energy） EK =电子动能 （Electron Kinetic Energy） ?spec= 谱学功函数或电子反冲能 （Spectrometer Work Function） EB = hv - EK -Φspec X射线光电子能谱仪中的能量关系： （2）X射线光电子能谱仪 主要组成部分：X光源(激发源)，样品室，电子能量分析器和信息放大、记录(显示)系统等组成。 XPS的仪器 （3）XPS中的化学位移 化学位移 由于原子所处的化学环境不同而引起的内层电子结合能的变化，在谱图上表现为谱峰的位移，这一现象称为化学位移。 化学位移的分析、测定，是XPS分析中的一项主要内容，是判定原子化合态的重要依据。 三氟化乙酸乙脂中四个不同C原子的C1s谱线。 （4）XPS定性分析 右图是表面被氧化且有部分碳污染的金属铝的典型的图谱 是宽能量范围扫描的全谱 低结合能端的放大谱 O 和 C 两条谱线的存在 表明金属铝的表面已被部 分氧化并受有机物的污染 O的KLL俄歇谱线 1. 价带 (4d,5s) 出现在 0 - 8 eV 。 2 4p 、 4s 能级出现在 54 、88 eV 。 3. 335 eV 的最强峰由 3d 能级引起。 4 3p 和3s 能级出现在 534/561 eV 和 673 eV 。 5. 其余峰非 XPS 峰， 而是Auger 电子峰。 钯的XPS（XPS spectrum obtained from a Pd metal sample using Mg?Ka radiation) 化合态识别-光电子峰 Ti及TiO2中2p3/2峰的峰位及2p1/2和2p3/2之间的距离 （5）化学价态分析 3. 俄歇电子能谱（AES）分析 俄歇电子能谱法：是用具有一定能量的电子束(或X射线)激发样品俄歇效应，通过检测俄歇电子的能量和强度，从而获得有关材料表面化学成分和结构的信息的方法。 ?E ≈ E1 (Z) – E2(Z) – E3(Z) 俄歇电子 对于Z≤14的元素，采用KLL俄歇电子分析； 14Z42的元素，采用LMM俄歇电子较合适； Z42时，以采用MNN和MNO俄歇电子为佳。 （2）俄歇电子能谱的特征 Mo(110)面俄歇能谱 4. 紫外光电子能谱法(UPS) 以紫外光为激发源致样品光电离而获得的光电子能谱。 目前采用的光源为光子能量小于100eV的真空紫外光源(常用He、Ne等气体放电中的共振线)。这个能量范围的光子与X射线光子可以激发样品芯层电子不同，只能激发样品中原子、分子的外层价电子或固体的价带电子。 在紫外光电子能谱的能量分辨率下，分子转动能(Er)太小，不必考虑。而分子振动能(Ev)可达数百毫电子伏特(约0.05~0.5eV)，且分子振动周期约为10-13s，而光电离过程发生在10-16s的时间内，故分子的(高分辨率)紫外光电子能谱可以显示振动状态的精细结构。 CO的紫外光电子能谱 图为CO的紫外光电子能谱，在14eV、17eV和20eV处出现3个振动谱带，其中17eV的谱带清楚地显示了振动精细结构。 （