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第4章 存储器;;;;;;;高;存储器的层次结构;;;;;;;;;;;;;;T1 ~ T4;; ② Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × 64) 读;第一组;第一组;15;15;15;15;15;A3;15;第一组;第一组;第一组;第一组;第一组;第一组;第一组;A;A;DD;单元;A9;1;A9;A9;A9;A9;A9;A9;A9;时序与控制 ; 读放大器; 读放大器; (3) 动态 RAM 时序; (4) 动态 RAM 刷新;tC = tM + tR;③ 分散刷新与集中刷新相结合（异步刷新）; 3. 动态 RAM 和静态 RAM 的比较; 四、只读存储器（ROM） ; 3. EPROM (多次性编程 ) ;…; 4. EEPROM (多次性编程 ) ; 用 1K × 4位 存储芯片组成 1K × 8位 的存储器; (2) 字扩展（增加存储字的数量）; (3) 字、位扩展; 2. 存储器与 CPU 的连接 ;例4.1 解: ;(3) 分配地址线; 2K ×8位;(1) 写出对应的二进制地址码;例 4.3 设 CPU 有 20 根地址线，8 根数据线。 并用 IO/M 作访存控制信号。RD 为读命令， WR 为写命令。现有 2764 EPROM ( 8K × 8位 ), 外特性如下：;六、存储器的校验;汉明码的组成需增添 ？位检测位;各检测位 Ci 所承担的检测小组为;例4.4 ;按配偶原则配置 0011 的汉明码;3. 汉明码的纠错过程;P1= 1 3 5 7 = 0;练习2;七、提高访存速度的措施;2. 多体并行系统;各个体并行工作;M0;M0;低位交叉的特点; ;(3) 存储器控制部件（简称存控）;3.高性能存储芯片;;一、概述;2. Cache 的工作原理;(2) 命中与未命中;(3) Cache 的命中率;(4) Cache –主存系统的效率;;4. Cache 的 读写 操作;Cache 和主存的一致性 ;5. Cache 的改进; 字块2m－1;2. 全相联映射;字块2m－1;三、替换算法;;一、概述;二、磁记录原理和记录方式;N;2. 磁表面存储器的记录方式;例 NRZ1 的读出代码波形;三、硬磁盘存储器;磁盘;(2) 磁盘控制器;四、软磁盘存储器;2. 软盘片;五、光盘存储器;;