【2017年整理】一种微加速度计设计与制造.pptVIP

【2017年整理】一种微加速度计设计与制造.ppt

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【2017年整理】一种微加速度计设计与制造

Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;        目录;  微加速度计就是使用MEMS技术制造的加速度计。由于采用了微机电系统技术,使得其尺寸大大缩小,一个MEMS加速度计只有指甲盖的几分之一大小。微加速度计是惯性传统器件的代表,其理论基础是牛顿第二定律。;  微加速度传感器的研究开始于70年初,是继微压力传感器之后第二个进入市场的微机械传感器。目前国外在微加速度传感器方面做的比较好的主要有:美国加州大学Berkley分校、德国Dresden大学、日本Toyohashi大学,美国AD公司(ADXL50)等 ] 1[。我国在这 方面的研究起步比较晚,距离产业化还有很多路要走。 目前微机电加速度传感器的工作原理主要有压阻式、电容式、压电式、力平衡式、微机械热对流式和微机械谐振式等。;微加速度计典型汽车用产品; 国内的相关研究还存在很多问题,有很多共性难题没有解决,如:;  (4) 除了基于半导体平面工艺的特殊结构电容式加速度计成本较低,利于批量生产外(例如AD 公司的微加速度计系列),其他原理的加速度计的制作成本相对较高,不利于批量生产;   针对上述问题,国内外研究人员已经进行了充分的研究。采用相关双采样接口电路能提高微弱信号的检测能力,降低电路噪声干扰。利用静电力平衡实现微加速度计的闭环控制,提高器件的动态性能,避免支撑梁发生大形变,降低传感器的迟滞和非线性影响,提高器件的可靠性。也有学者采用在线温度补偿技术,实现微加速度计温漂补偿。同时微机电系统技术的进步和工艺水平的提高,也给微加速度计的发展带来了新的机遇。通过了解国内外微加速度计的研究动态,分析其研究特点,总结出微加速度计以下几点发展趋势:   (1) 高分辨率和大量程的微硅加速度计成为研究的重点。由于惯性质量块比较小,所以用来测量加速度和角速度的惯性力也相应比较小,系统的灵敏度相对较低,这样开发出高灵敏度的加速度计显得尤为重要。无论是民用还是军事用途,精度高、量程大的微加速度计将会大大拓宽其运用范围。   (2) 温漂小、迟滞效应小成为新的性能目标,选择合适的材料,采用合理的结构,以及应用新的低成本温度补偿环节,能够大幅度提高微加速度计的精度。;(3) 多轴加速度计的开发成为新的方向。已经有文献报道开发出三轴微硅加速度计,但是其性能离实用还有一段距离,多轴加速度计的解耦是结构设计中的难点。 (4) 将微加速度计表头和信号处理电路集成在单片基体上,也能够减小信号传输损耗,降低电路噪声,抑制电路寄生电容的干扰。 (5) 选择合理的工艺手段,降低制作成本,为微加速度计批量化生产提供工艺路线;同时,标准化微机电系统工艺,为微加速度计投片生产提供一套利于操作、重复性好的工艺方法,也是微硅加速度计发展的重要方向。 ;微加速度计的特点;品质因子;  由图可见,为提高灵敏度,需要降低固有频率。降低固有频率有两个方案:降低刚度或增大质量。;根据有无反馈信号:1.微型开环加速度计            2.微型闭环加速度计;  压阻式微加速度计是由悬臂梁和质量块以及布置在梁上的压阻组成,横梁和质量块常为硅材料。当悬臂梁发生变形时,其固定端一侧变形量最大,故压阻薄膜材料就被布置在悬臂梁固定端一侧(如图所示)。当有加速度输入时,悬臂梁在质量块受到的惯性力牵引下发生变形,导致固连的压阻膜也随之发生变形,其电阻值就会由于压阻效应而发生变化,导致压阻两端的检测电压值发生变化,从而可以通过确定的数学模型推导出输入加速度与输出电压值的关系。;电阻;对晶体材料,电阻率与应变有关,定义压阻系数:;加速度传感器结构原理图;固支梁上表面的应力分布示意图;式中  为轴向应力,这里取值为90MP。   等效刚度的增大,使得在同样外加加速度情况下,质量块产生的位移减小为无轴向力时的  ,对应的梁根部弯曲应变也相应减小,最终导致压阻灵敏度减小为无残余应力情况时的   带入相应数据得到  为8.405。;  为实现静电自检测结构,在衬底硅上进行离子注入来掺入杂质磷,降低衬底的电阻率,使得衬底与电镀的铜质量块形成一对电极。如图所示,当在电极两端加直流电压时,由于电容电力的作用,使得质量块向衬底方向移动,导致压阻电桥输出电压产生变化。;  该芯片采用普通四寸双抛硅片为基底材料,利用LPCVD沉积      作为牺牲层,在沉积低应力氮化硅作为器件为机械结构材料,然后通过离子注入,RIE刻蚀,金属溅射以及电镀等工艺在器件上形成压阻电桥和质量块。整个流程均采用表面微机械加工技术,与集成电路制造工艺可以很好的兼容。利用深腐蚀工艺制作盖

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