【2017年整理】半导体器件基础.ppt

模拟电子技术（第3版）;;知识点一 半导体基础知识;②光敏性：当半导体材料受外界光照射时，其导电能力将发生显著改变； ③掺杂性：在纯净半导体材料中，掺入微量杂质，半导体的导电能力会有显著增加。 ;（一） 本征半导体;1．本征半导体的原子结构及共价键 2．本征激发和两种载流子—自由电子和空穴 在本征半导体中，自由电子和空穴成对出现，数目相同。 ;图1.1 硅和锗的原子结构和共价键结构 ; 图1.2 本征激发产生电子空穴对; 空穴也是一种载流子。 半导体材料中空穴越多，其导电能力也就越强。;3．结论;③ 一定温度下，本征半导体中电子空穴对的产生与复合相对平衡，电子空穴对的数目相对稳定。 ④ 温度升高，激发的电子空穴对数目增加，半导体的导电能力增强。 空穴的出现是半导体导电区别导体导电的一个主要特征。;图1.3 束缚电子填补空穴的运动;（二） 杂质半导体;1．N型半导体;2．P型半导体;图1.4 N型半导体的共价键结构 ;图1.5 P型半导体共价键结构;（三） PN结及其单向导电性;图1.6 P型和N型半导体交界处载流子的扩散 ; P区和N区在交界面的两侧形成一个不能移动的带异性电荷的离子层，此离子层被称为空间电荷区，这就是所谓的PN结，如图1.7所示。 ; 图1.7 PN结的形成 ; 少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为漂移运动。 漂移运动和扩散运动的方向相反。;2．PN结的单向导电性;图1.8 PN结外加正向电压 ; PN结正向导通时，通过PN结的电流（正向电流）大，而PN结呈现的电阻（正向电阻）小。;（2）PN结外加反向电压; 图1.9 PN结外加反向电压; PN结反向截止时，通过PN结的电流（反向电流）小，而PN结呈现的电阻（反向电阻）大。 因为环境温度愈高，少数载流子的数目愈多，所以温度对反向电流的影响很大。 ;结论：PN结的单向导电性是指PN结外加正向电压时处于导通状态，外加反向电压时处于截止状态。;知识点二 半导体二极管;图1.10 不同结构的各类二极管; 图1.11所示为二极管的符号。 由P端引出的电极是正极，由N端引出的电极是负极，箭头的方向表示正向电流的方向，VD是二极管的文字符号。;图1.12 常见的二极管外形;（二） 二极管的伏安特性和主要参数;（1）正向特性;图1.13 二极管的伏安特性曲线 ; 硅二极管的正向导通压降约为0.7V，锗二极管的正向导通压降约为0.3V。;（2）反向特性;（3）反向击穿特性;2．二极管的温度特性; 图1.14 温度对二极管伏安特性的影响;3．二极管的主要参数;（2）反向击穿电压;（3）反向饱和电流;（三） 特殊二极管;图1.15 稳压二极管的伏安特性和符号;（2）稳压管的主要参数;② 稳定电流IZ。稳定电流为稳压管工作在稳压状态时，稳压管中流过的电流，有最小稳定电流IZmin和最大稳定电流IZmax之分。若稳压管中流过的电流小于IZmin，稳压管没有稳压作用；若稳压管中流过的电流大于IZmax，稳压管会因过流而损坏。 ;③ 耗散功率PM。它是指稳压管正常工作时，管子上允许的最大耗散功率。由耗散功率PM和稳定电压UZ可以决定最大稳定电流IZmax。反向工作时PN结的功率损耗为PZ=UZ IZ。;（3）应用稳压管应注意的问题;② 在稳压管稳压电路中，一定要配合限流电阻的使用，保证稳压管中流过的电流在规定的电流范围之内。 ;（4）稳压管应用电路;图1.16 稳压管稳压电路 ;解：由图可得： 因为IZ＜IZmax，所以限流电阻的值合适。 ;例题1-2：稳压管限幅电路。如图1.17所示，输入电压ui为幅度为10V的正弦波，电路中使用两个稳压管对接，已知UZ1=6V，UZ2=3V，稳压二极管的正向导通压降为0.7V，试对应输入电压ui画出输出电压uo的波形。;图1.17 稳压二极管限幅电路 ;解：输出电压uo的波形如图1.17所示，uo被限定在?6.7V～+3.7V之间。;知识点三 半导体三极管;图1.21 三极管的结构示意图和符号; 符号中发射极上的箭头方向，表示发射结正偏时电流的流向。 常见的三极管外形如图1.22所示。;图1.22 常见的三极管外形;（二） 三极管的电流分配原则及放大作用;1．实验结论;③定义 ， 称为三极管的交流电流 放大系数。 一般有三极管的电流放大系数： 。 ④穿透电流ICEO越小越好。;2．三极管实现电流分配的原理;