ICPMS课程-3ICP-MS中的干扰.pptxVIP

第三章 ICP-MS中的干扰 ICP-MS中的干扰 质谱干扰 不能分辨的相同质量的干扰 非质谱干扰 源于样品基体 质谱干扰 同量异位素 多原子 氩聚合物Argides 氧化物 其它 (如 氯化物、 氢化物等.) 双电荷离子 同量异位素干扰 多原子离子干扰 质谱干扰 选择无干扰同位素 如137Ba代替138 Ba 最佳化仪器以减少干扰 氧化物、双电荷离子 ShieldTorch 减少具有高电离能的多原子离子 消除 ArO 消除 ArH 条件最佳化以减少在等离子体中形成的干扰[1] 减少 ‘基体’ 量 低样品提升量 减少含水量 冷却雾化室 去溶剂方式 增加等离子体中的停留时间 增大采样深度 大直径炬内管以降低气溶胶速度 条件最佳化以减少在等离子体中形成的干扰[2] 为电离提供尽可能高的能量 高入射功率 降低样品和载气流速 限制/减少易电离元素基体，必要时采取稀释 条件最佳化以减少在等离子体中形成的干扰[3] 停留时间为毫秒级. 关键是优化等离子体能量输入 以保证样品基体彻底解离 等离子体温度对电离程度的影响 有效的气溶胶解离过程 大孔径炬内管使气溶胶扩散，在气溶胶干燥时减少聚集冷却而且减少了样品沉积在内管表面的可能e 氧化物和双电荷离子 质谱干扰的解决办法 排除基体 螯合法 色谱法Chromatography 电热蒸发法（ETV） 去溶剂法Desolvation 膜去溶