第二章 太阳能电池原理.ppt

* * * * * * * 任何一种物质对光波都会或多或少地吸收。 ?光在介质内传播时，介质中的束缚电子在光波电场的作用下作受迫震动，因此光波要消耗能量来激发电子的振动，这些能量一部分又以次波的形式与入射波叠加成折射光波而射出介质。 ?此外，由于与周围原子和分子的相互作用，束缚电子受迫振动的一部分能量将变为其它形式的能量，例如分子热运动的能量，这部分能量的损耗就是我们所指的介质对光波的吸收。 * * * 满足条件的光吸收可以产生两种载流子。但在光伏应用中，光致载流子的数目比电池器件中本身存在的多子要少几个数量级，因此，多子在光伏器件中不是主要的，相反，光致产生的少子数目比黑暗条件下光伏器件中的少子数目多，在光照下，少子数目可以近似为光照下产生的载流子数目。 * * 准动量守恒的选择定则，跃迁的过程中，电子的波矢可以看作是不变的，在能带的图示上，初态和末态几乎在一条竖直线上，价带顶和导带底处于k空间的同一点，—— 称为竖直跃迁，—— 直接带隙半导体，如GaAs等。 * —— 单纯吸收光子不能使电子由价带顶跃迁到导带底，电子在吸收光子的同时伴随着吸收或者发出一个声子 * * Ge，Si，间接带隙半导体 * * * * * * * 即使光能量大于禁带宽度，吸收系数也不是常数，也和波长有关。吸收光子的几率同电子和光子相互作用的可能性有关，从这种方式，电子从一个能带跃迁到另一能带。如果光子能量非常接近带隙，吸收是非常弱的，因为只有在价带边上的电子菜能和光子发生相互作用导致光吸收，如果光子能量增加，就会有更多电子和光发生相互作用，导致光吸收，但从光伏角度讲，大于禁带的光子能量会被浪费掉，以产生热的方式，载流子在回到带边。 * * Since high energy light has a large absorption coefficient, it is absorbed in a short distance (for silicon solar cells within a few microns) of the surface, while red is absorbed less strongly. Even after a few hundred microns, not all red light is absorbed in silicon. The variation in the absorption depth for blue and red photons is shown below. * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 1. 原子并不是静止在具有严格周期性的晶格格点位置上，而是在平衡位置附近振动； 2. 半导体材料并不是纯净的，而是含有若干杂质； 3. 实际的半导体晶格结构并不是完整无缺的，而是存在着各种缺陷：点缺陷、线缺陷和面缺陷 * * * * P是第V族元素，每一个P原子具有5个价电子。 P替位式掺入Si中，其中四个价电子和周围的硅原子形成了共价键，还剩余一个价电子 相当于形成了一个正电中心P＋和一个多余的价电子。 在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，即构成 N 型半导体(或称电子型半导体)。 常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。 V族杂质在硅中电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心，称为施主杂质。 * 多余的价电子束缚在正电中心P＋的周围，但这种束缚作用比共价键的弱得多，只要很少的能量就可以使它摆脱束缚，形成导电电子。 使价电子摆脱束缚所需要的能量称为杂质电离能 * * 在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素，即构成 P 型半导体(或称空穴型半导体)。 常用的 3 价杂质元素有硼、镓、铟等 III族杂质在硅中电离时，能够释放空穴而产生导电空穴并形成负电中心，称为受主杂质。 * 多余的空穴束缚在负电中心B－的周围，但这种束缚作用比共价键的弱得多，只要很少的能量就可以使它摆脱束缚，形成导电空穴。使空穴摆脱束缚所需要的能量称为受主杂质电离能 * 4.6 其他性能评价方法 太阳能电池在SRC条件下的电性能是一个非常重要的参数，它可使不同 实验室和不同太阳能电池之间的测量结果具有可比性，但是它并不能 体现电池在室外实际条件下的工作性能。 另外一个性能评价方法叫做性能测试条件（PTC），其测试条件见下表。 应用 辐照（W/m2） 环境温度（℃） 风速（m/s） 平板以固定角度倾斜 1000 （总辐照度） 20 1 聚光 850（直射） 20 1 4.7 隐性问题及测量的不确定性 测试的不确定性分析是区分和量化可能出现的测量误差，并将测量结果 整合起来以评估总测量不确定性