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分析高压泵电路的ramp 对EEPROM 耐久力的影响 1,2 1 2 张红 ，黄其煜 ，韩兴成 1 上海交通大学微电子学院，上海（201203 ） 2 芯成半导体（上海）有限公司，上海（201203 ） E-mail ：ellenz_7@ 摘 要：随着医疗电子，金融系统和汽车电子对EEPROM 的市场需求越来越多，对于可靠 性的要求也越来越高。尤其在未来容量越来越大的前提下，如何拥有良好的可靠性和数据保 存能力是一个非常重要的课题。业界一直试图通过工艺或者设计的优化来改善EEPROM 的 耐久力（endurance ）失效。耐久力失效是指EEPROM 可以被编程和擦除直到氧化层被破坏， 即可以经受的最大编程次数。本文将结合器件本身固有的特点（在0.18 EE 工艺平台上）， 通过研究可靠性失效相关的参数，找到与设计相关联的因素，并围绕这些因素进行设计的优 化和改良。本文主要从高压泵ramp 的角度来找到提高耐久力（endurance ）的方法。 关键词：高压泵，ramp ，耐久力（endurance ），设计 EEPROM(Electrically Erasable 写（program ）：Drain 端建立高压， 电子拉 Programmable Read-Only Memory) 即电擦 出浮栅。 此时 Vth 低，Cell 打开。 除式只读存储器，它是一种非挥发性存储 读(read)：定义 “0”/”1” ;存在浮栅中的电荷 器，与擦除式只读存储器(EPROM)类似，外 数量可以影响器件的阈值电压（Vth ）, 由此 加电源撤去后，储存的数据依然存在，要消 区分期间状态的逻辑值 1 或 0 除储存在其中的内容， 以电子信号直接消 [1] 除即可 。 1．基本编程原理 基本编程机制：Fowler-Nordheim 隧道效应 。 隧道效应实现对 EEPROM 的擦除与注入 Fowler-Nordheim 隧道效应机制主要是 图 1 cell 的结构剖面图 由强大电场的挤压，导致能带的頂端、尾端 Figure1 cell structure cross section 变薄（三角形）或是能带的弯曲变化过大， 2 ．EEPROM 耐久力（endurance ） 使得电子可在未获得足够的能量下穿过（而 [1] 耐久力 （endurance ）用于评估 EEPROM 非越过）能带 。 单元的性能重要性参数。 表 1 EEPROM 单元的工作条件 耐久力（endurance ）特性： Table 1 EEPROM cell operation condition 耐久力特性表现于存储器的阈值电压区间， 它与编程次数有密切的关系，如图所示。 EEPROM 可以被编程和擦除直到氧化层被 破坏。这也意味着 EEPROM 是有限的，举 例来说大部分商用 EEPROM 产品可以保证 一百万有效编程次数[2] 。此情况下氧化