【2017年整理】晶体缺陷简述.pptVIP

晶体缺陷简述;概 要;一、引言;明显的缺陷;二、晶体结构缺陷的类型;2、线缺陷（一维缺陷）;晶体中的线缺陷;3、面缺陷;KTP晶体中的双晶界;4、体缺陷;晶体的体缺陷;按缺陷产生的原因分类;晶体中的热缺陷;2、杂质缺陷（非本征缺陷）;3、非化学计量结构缺陷（非整比化合物）;三、单晶硅中的缺陷;1、一维的线缺陷; 硅中的位错对硅的性能有较大影响。位错在硅中起受主能级作用，从而影响晶体的电阻率，位错可使晶格发生崎变，改变能带位置，影响复合过程，使少数载流子的寿命下降，位错周围的晶格弹性形变，具有吸引杂质作用，导致杂质在位错处凝聚和沉淀，扭曲PN结，造成局部短击穿。杂质沿位错线扩散最快，尤其重金属。 ; 面缺陷晶界在单晶生长时这种缺陷一般是可以避免的，但有时会在外延片中出现。它是硅中最严重的结构缺陷，杂质极易在晶界处聚集足够高浓度，导致材料局部毁坏。即使结晶时杂质不在此聚集，杂质在晶界上扩散也远远快于在体材料中。因此，存在晶界的情况下，很难得到均匀的掺杂浓度分布。 对太阳电池来说，正在设法产生含有大颗粒的多晶硅，并设法保持晶界干净，或设法钝化它们，以致它们不妨碍光产生的载流子的收集。蓝宝石上异质外延硅（505）结构，有许多低角晶界，这些晶界减低了载流子的寿命，但对于金属一氧化物一半导体（MOS）器件来说是可接受的，因为MOS是不依赖扩散的