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梳子状ZnO纳米棒阵列的制备及表征.pdf
第38卷第2期 人 工 晶 体 学 报 v。1．38N。．2
兰!塑生兰旦 』Q堕壁型垒生Q!墨!型!堕垦旦生鱼垦!塑垒坚——：， 垒P曼!：型墨!!一
梳子状ZnO纳米棒阵列的制备及表征
哈日巴拉1，刘占连2，杨海滨1”，付鸟有2
(1．河南理-I-大学材料学院，焦作454003；2．吉林大学超硬材料国家重点实验室，长春130012)
场发射扫描电子显微镜(FESEM)对得到的样品进行表征。揭示ZnO纳米棒的可控生长规律，在此基础上对其生
长机理进行初步探讨。
关键词：ZnO；纳米棒；梳子状；对称生长；水热法
中图分类号：0484 文献标识码：A
andCharacterizationofComb．1ikeZn0Nanorod
Preparation Array
HARI
Balal，LIUZhan—lian2，YANGHai—binl”，FUWu．you2
ofMaterialsScienceand
(1．School Engim矗ng，HenanPolytechnicUniversity，Jiaozuo454003，China；
2．State of
KeyLaboratorySuperhnrdMaterials，JilinUniversity，Changchnn130012，China)
(Rece／t*d6June
2008，accepted6．，嘶2008)
comb—likeZnOnanorodwith2-fold been
Abstract：The have
symmetrical successfully
array synthesized
methodonzincaluminumcarbonatenanosheets．ThehierarchicalZnOnanorodsWele
byhydrothermal
characterized emission electron
byX—raydiffraction(XRD)，fieldscanning
of
mechanismhierarchicalZnOnanostructuresis
possiblegrowth proposed．
metheod
Keywords：ZnO；nanorod；comb—like；symmetrygrowth；hydrothermal
1 引 言
ZnO作为一种直接带隙宽禁带半导体材料，其室温下禁带宽度为3．37eV，且激子束缚能高达60meV，
比室温热离化能(26meV)和GaN激子束缚能(25meV)大得多，因此存在室温激子，适合于室温下的紫外发
射，可以在高密度下产生近紫外室温激子激光，可以用来制造发光二极管、激光二极管、紫外激光器等低压和
短波光电子器件，可以提高计算机数据的存储密度，因而成为目前半导体材料研究领域的热点之一。近年
来，关于ZnO纳米材料的制备方法报道较多，包括气相合成法，例如化学气相沉积(CVD)、磁控溅射法、热蒸
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