复合稀土掺杂钪钨基阴极基体的研究论文.pdfVIP

复合稀土掺杂钪钨基阴极基体的研究 高涛王亦曼王金淑 北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室北京，100022 摘要：用液一固掺杂法制备了氧化铕和氧化钪的复合稀土氧化物掺杂钨粉，利用这种 钨粉研制出扩散阴极的多孔钨基体和阴极。复合掺杂钨基体中稀土氧化物的分布更加 均匀，铕元素有很强的扩散迁移能力和向基体表面偏聚的能力，阴极具有较高的电子 发射水平。 关键词： 复合稀土氧化铕氧化钪钨基体离子轰击 真空电子器件是当代国防装备和国民经济中一类最重要的电子器件之一，阴极是 电真空器件的电子发射源，阴极的优劣直接影响到器件的性能和使用寿命，因而阴极 被喻为是器件的心脏。阴极发射体的研究正朝着低温、大电流的方向不断前进。20 世纪80年代末出现的含钪扩散阴极由于具有极其优越的电子发射能力，被认为是新 一代有效的电子发射体阴极。 包括钪酸盐阴极【11、“顶层”型含钪扩散阴极【2】、钪钨基阴极【3】在内的各类含钪扩散 阴极已得到广泛的发展和研究。尽管含钪扩散阴极具有低温大电流密度的发射特性， 但抗离子轰击性能差和发射不均匀等缺点却一直没有得到很好的解决，这是含钪扩散 阴极获得实际应用面临的最大障碍。对含钪扩散阴极的发射结构研究表明，在