氧化铪薄膜阻变特性研究.pdfVIP

摘 要 摘 要 本文将研究 RRAM 的注意力集中在HfO2 金属氧化物材料上，因为其组份简单且制 备工艺与目前的 CMOS 工艺相兼容。在基于 HfO2 材料的阻变存储器中，我们从器件结 构等多个角度出发分析了提高器件性能的途径。详细介绍了实验制备过程，研究了不同 电学测量方法和材料厚度对数据保持特性和稳定特性的影响。主要开展了基于HfO2 、 TaOx / HfO2 材料 RRAM 器件电阻转变特性以及电阻转变机制方面的研究。研究内容如 下： 为了进一步提升Pt/HfO2/Pt存储器件性能，以获得较高的均一性和较低电阻率，研究 了不同电激活操作电压下对制备的HfO 薄膜的电学性能的影响，结果发现在负向发 2 orming 电压激活后HfO 薄膜的性能得到了较大提升，并且与理论基础相符合。 2 Pt/TaO /HfO /Pt器件是一个多阻态存储器，通过Retention性能测试证实该器件能够 x 2 稳定的保持三个阻态，所以该器件能够很好的保存“0”、“1”和“2”三个存储值。而且器件 的高低电阻之比很大，每次阻态发生跳变时，高阻态电阻值 （RHRS ）和低阻态电阻值 （ RLRS ）之比都在 104 倍左右，因此在电路中能够很好的区分各存储状态。并且阻 值跳变时的电压相对集中，有利于用一个相对固定的电压值对器件进行读和写。我们认 为其阻变机制是由细丝效应和SCLC效应共同作用的。 对Ti/HfO /Pt器件的尺寸问题进行了研究，分析了不同厚度的Ti 电极对Ti/HfO /Pt器件 x x 阻变性能的影响，我们认为由于器件中氧离子与氧空位的移动，使器件中形成细丝而导 致器件导通。研究发现当Ti层厚度减小时，打开电压随之降低，但是Ti 电极为2nm时， 可能全部氧化，导致出现了大量的氧空位，就容易击穿。当Ti 电极加厚时，器件表现出 了良好的稳定阻变特性，我们认为是由于Ti 电极类似一个氧离子库，能够存进足够多的 氧离子，所以器件的疲劳特性比较好。 关键词： HfOx 薄膜 非挥发性阻变存储器 阻变机制 电学特性 I Abstract Abstract This article examines the RRAM focus on HfO metal oxide material, because of its 2 preparation process is simple and the components are compatible with existing CMOS processes. HfO -based materials in the resistive memory, from a plurality of angles we 2 analyzed the structure of the device to improve device performance means. Details of the preparation of experiments to study the different electrical measurem