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- 2017-06-09 发布于天津
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第章加半体半体内荷振舞非平衡状物抵抗温度化状半体性特中荷子正孔章界等加合非平衡状荷如何振舞散乱象温度半体中荷程度何物妨始点各荷共一定速度元位置事起各荷一示後述散乱象方向荷注目一所留荷方向化象散乱象呼散乱原因主要物化不物依文献格子振依文献中性散乱中心依分性光学格子振依内化不物依散乱散乱荷速度小良低温寄与大温度上寄与少他方格子振散乱温度上共格子振激多事反映高温寄与大温度上共寄与大性等分性光学的格子振支配的成文献多荷平均一荷渡平均荷集合全体中心多散乱一荷合成移平均元停止子求例室温程度理的化不物原子散乱
第２章 電圧の加わった半導体
1. 半導体内の電荷の振る舞い（非平衡状態）物質の電気抵抗
これまでは温度だけが変化した状態の半導体の性質?特にその中での電荷(電子や正孔）を問題にしてきた。
この章では電界等が加わった場合(非平衡状態）に電荷が如何に振る舞うかを扱う。
1.1 散乱現象
ある温度では半導体の中の電荷は熱エネルギー（kT程度）で運動している。もしその運動が何物にも妨げられないなら?始めにある点にいた各々の電荷は時間の経過と共に一定速度；ｖ∝（ kT／m ）1/2 で1) ?どんどん元の位置から離れていくことになるが?現実にはその様な事は起らない。各々の電荷の運動は決
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