化学气相沉积CVD.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 化学气相沉积——等离子CVD ★ 等离子化学气相沉积 在普通CVD技术中，产生沉积反应所需要的能量是各种方式加热衬底和反应气体，因此，薄膜沉积温度一般较高（多数在900~1000℃）。 容易引起基板变形和组织上的变化， 容易降低基板材料的机械性能； 基板材料与膜层材料在高温下会相互扩散，形成某些脆性相，降低了两者的结合力。 如果能在反应室内形成低温等离子体（如辉光放电），则可以利用在等离子状态下粒子具有的较高能量，为化学气相反应提供所需的激活能，使沉积温度降低。 这种等离子体参与的化学气相沉积称为等离子化学气相沉积。用来制备化合物薄膜、非晶薄膜、外延薄膜、超导薄膜等，特别是IC技术中的表面钝化和多层布线。 等离子化学气相沉积： Plasma CVD Plasma Associated CVD Plasma Enhanced CVD 这里称PECVD 化学气相沉积——等离子CVD PECVD是指利用辉光放电的物理作用来激活化学气相沉积反应的CVD技术。它既包括了化学气相沉积技术，又有辉光放电的增强作用。既有热化学反应，又有等离子体化学反应。广泛应用于微电子学、光电子学、太阳能利用等领域， 按照产生辉光放电等离子方式，可以分为许多类型。 直流辉光放电等离子体化学气相沉积（DC-PCVD） 射频辉光放电等离子体化学气相沉积（RF-PCVD） 微波等离子体化学气相沉积（MW-PCVD） 电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR-PCVD） 化学气相沉积——等离子CVD 化学气相沉积——等离子CVD 化学气相沉积——等离子CVD 等离子体在CVD中的作用： 将反应物气体分子激活成活性离子，降低反应温度； 加速反应物在表面的扩散作用，提高成膜速率； 对基片和薄膜具有溅射清洗作用，溅射掉结合不牢的粒子，提高了薄膜和基片的附着力； 由于原子、分子、离子和电子相互碰撞，使形成薄膜的厚度均匀。 化学气相沉积——等离子CVD PECVD的优点： 低温成膜（300-350℃），对基片影响小，避免了高温带来的膜层晶粒粗大及膜层和基片间形成脆性相； 低压下形成薄膜，膜厚及成分较均匀、针孔少、膜层致密、内应力小，不易产生裂纹； 扩大了CVD应用范围，特别是在不同基片上制备金属薄膜、非晶态无机薄膜、有机聚合物薄膜等； 薄膜的附着力大于普通CVD。 化学气相沉积——等离子CVD PECVD的缺点： 化学反应过程十分复杂，影响薄膜质量的因素较多； 工作频率、功率、压力、基板温度、反应气体分压、反应器的几何形状、电极空间、电极材料和抽速等相互影响。 参数难以控制； 反应机理、反应动力学、反应过程等还不十分清楚。 化学气相沉积——等离子CVD 化学气相沉积——其它CVD方法 ★ 其它化学气相沉积方法 （1）MOCVD 是一种利用有机金属化合物的热分解反应进行气相外延生长薄膜的CVD技术。 作为含有化合物半导体元素的原料化合物必须满足： 常温下稳定且容易处理 反应的副产物不应妨碍晶体生长，不应污染生长层； 室温附近应具有适当的蒸气压 满足此条件的原材料有：金属的烷基或芳基衍生物、烃基衍生物、乙酰丙酮基化合物、羰基化合物 MOCVD（金属有机化学气相沉积）的优点： ① 沉积温度低。减少了自污染，提高了薄膜纯度，有利于降低空位密度和解决自补偿问题；对衬底取向要求低； ② 沉积过程不存在刻蚀反应，沉积速率易于控制； ③ 几乎可以生长所有化合物和合金半导体； ④ 反应装置容易设计，生长温度范围较宽，易于控制，可大批量生产； ⑤ 可在蓝宝石、尖晶石基片上实现外延生长 化学气相沉积——其它CVD方法 MOCVD的主要缺点： ① 许多金属有机化合物有毒、易燃，给有机金属化合物的制备、贮存、运输和使用带来困难，必须采取严格的防护措施； ② 由于反应温度低，有些金属有机化合物在气相中就发生反应，生成固态微粒再沉积在衬底表面，形成薄膜中的杂质颗粒，破坏了膜的完整性。 化学气相沉积——其它CVD方法 化学气相沉积——其它CVD方法 (2) 光CVD 是利用光能使气体分解，增加反应气体的化学活性，促进气体之间化学反应的化学气相沉积技术。 (3) 电子回旋共振（ECR）等离子体沉积 在反应室内导入微波能和磁场，使得电子的回旋运动和微波发生共振现象。电子和气体碰撞，促进放电，从而可