【2017年整理】集成电路的版图设计专题.ppt

设计规则的表示方法（p.330） 以?为单位也叫做“规整格式” ：把大多数尺寸（覆盖，出头等等）约定为?的倍数?与工艺线所具有的工艺分辨率有关，线宽偏离理想特征尺寸的上限以及掩膜版之间的最大套准偏差，一般等于栅长度的一半。 优点：版图设计独立于工艺和实际尺寸 以微米为单位也叫做“自由格式” ：每个尺寸之间没有必然的比例关系， 提高每一尺寸的合理度；简化度不高 。 目前一般双极集成电路的研制和生产，通常采用这类设计规则。在这类规则中，每个被规定的尺寸之间，没有必然的比例关系。这种方法的好处是各尺寸可相对独立地选择，可以把每个尺寸定得更合理，所以电路性能好，芯片尺寸小。缺点是对于一个设计级别，就要有一整套数字，而不能按比例放大、缩小。 ; 1. ?设计规则或规整格式设计规则 70年代末，Meed和Conway倡导以无量纲的“?”为单位表示所有的几何尺寸限制，把大多数尺寸（覆盖，出头等等）约定为?的倍数。通常?取栅长度L的一半，又称等比例设计规则。由于其规则简单，主要适合于芯片设计新手使用，或不要求芯片面积最小，电路特性最佳的应用场合。在这类规则中，把绝大多数尺寸规定为某一特征尺寸“?”的某个倍数。与工艺线所具有的工艺分辨率有关，线宽偏离理想特征尺寸的上限以及掩膜版之间的最大套准偏差。 优点：版图设计独立于工艺和实际尺寸。; ⑴ 宽度及间距： 关于间距： diff：两个扩散区之间的间距不仅取决于工艺上几何图形的分辨率，还取决于所形成的器件的物理参数。如果两个扩散区靠得太近，在工作时可能会连通，产生不希望出现的电流。; poly-Si：取决于工艺上几何图形的分辨率。 Al:铝生长在最不平坦的二氧化硅上， 因此，铝的宽度和间距都要大些，以免短路或断铝。 diff-poly：无关多晶硅与扩散区不能相互重叠，否则将产生寄生电容或寄生晶体管。; ⑵ 接触孔： 孔的大小：2??2? diff、poly的包孔：1? 孔间距：1? ; ⑶ 晶体管规则： 多晶硅与扩散区最小间距：?。 栅出头：2?，否则会出现S、D短路的现象。 扩散区出头：2?，以保证S或D有一定的面积。; ⑷ P阱规则： ;版图设计图例;MOS集成电路的版图设计规则;;;;;;;p.333;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;MK1;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;Evaluation only.