VLSI-03第三讲实验室净化与硅片清洗分解.ppt

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集成电路工艺原理 仇志军 zjqiu@fudan.edu.cn 邯郸校区物理楼435室 INFO130024.01 集成电路工艺原理 第三章 实验室净化及硅片清洗 硅单晶的制备: 掺杂分布: 有效分凝系数 衬底制备: 晶体缺陷: 本节课主要内容 CZ 直拉法、 悬浮区熔法 整形、晶体定向、晶面标识、晶面加工 点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷 大纲 (2) 第一章 前言 第二章 晶体生长 第三章 实验室净化及硅片清洗 第四章 光刻 第五章 热氧化 第六章 热扩散 第七章 离子注入 第八章 薄膜淀积 第九章 刻蚀 第十章 后端工艺与集成 第十一章 未来趋势与挑战 Modern IC factories employ a three tiered approach to controlling unwanted impurities(现代IC fabs依赖三道防线来控制沾污) 三道防线: 环境净化(clean room) 硅片清洗(wafer cleaning) 吸杂(gettering) 1、空气净化 From Intel Museum 净化级别:每立方英尺空气中含有尺度大于0.5mm的粒子总数不超过X个。 0.5um 高效过滤 排气除尘 超细玻璃纤维构成的多孔过滤膜:过滤大颗粒,静电吸附小颗粒 泵循环系统 20~22?C 40~46%RH 由于集成电路內各元件及连线相当微细,因此制造过程中,如果遭到灰尘、金属的污染,很容易造成芯片内电路功能的损坏,形成短路或断路,导致集成电路的失效!在现代的VLSI工厂中,75%的产品率下降都来源于硅芯片上的颗粒污染。 例1. 一集成电路厂 产量=1000片/周×100芯片/片,芯片价格为$50/芯片,如果产率为50%,则正好保本。若要年赢利$10,000,000,产率增加需要为 产率提高3.8%,将带来年利润1千万美元! 年开支=年产能 为1亿3千万 1000×100×52×$50×50% =$130,000,000 Contaminants may consist of particles, organic films (photoresist), heavy metals or alkali ions. 外来杂质的危害性 例2. MOS阈值电压受碱金属离子的影响 当tox=10 nm,QM=6.5×1011 cm-2(?10 ppm)时,DVth=0.1 V 例3. MOS DRAM的刷新时间对重金属离子含量Nt的要求 ?=10-15 cm2,vth=107 cm/s 若要求?G=100 ms,则Nt?1012 cm-3 =0.02 ppb !! 颗粒粘附 所有可以落在硅片表面的都称作颗粒。 颗粒来源: 空气 人体 设备 化学品 超级净化空气 风淋吹扫、防护服、面罩、手套等,机器手/人 特殊设计及材料 定期清洗 超纯化学品 去离子水 各种可能落在芯片表面的颗粒 粒子附着的机理:静电力,范德华力,化学键等 去除的机理有四种: 1氧化分解 2溶解 3对硅片表面轻微的腐蚀去除 4 粒子和硅片表面的电排斥 去除方法:SC-1, megasonic(超声清洗) 金属的玷污 来源:化学试剂,离子注入、反应离子刻蚀等工艺 量级:1010原子/cm2 影响: 在界面形成缺陷,影响器件性能,成品率下降 增加p-n结的漏电流,减少少数载流子的寿命 Fe, Cu, Ni, Cr, W, Ti… Na, K, Li… 不同工艺过程引入的金属污染 干法刻蚀 离子注入 去胶 水汽氧化 9 10 11 12 13 Log (concentration/cm2) Fe Ni Cu 金属杂质沉淀到硅表面的机理 通过金属离子和硅表面终端的氢原子之间的电荷交换,和硅结合。(难以去除) 氧化时发生:硅在氧化时,杂质会进入 去除方法:使金属原子氧化变成可溶性离子 M Mz+ + z e- 去除溶液:SC-1, SC-2(H2O2:强氧化剂) 还原 氧化 有机物的玷污 来源: 环境中的有机蒸汽 存储容器 光刻胶的残留物 去除方法:强氧化 - 臭氧干法 - Piranha:H2SO4-H2O

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