电力半导体器件绪论.ppt

◆晶体管的特性是：在低发射极电流下? 是很小的，而当 发射极电流建立起来之后，? 迅速增大。 ◆在晶体管阻断状态下，IG=0，而?1+?2是很小的。由上式 可看出，此时流过晶闸管的漏电流只是稍大于两个晶体管 漏电流之和。 ◆如果注入触发电流使各个晶体管的发射极电流增大以致 ?1+?2趋近于1的话，流过晶闸管的电流IA（阳极电流）将 趋近于无穷大，从而实现器件饱和导通。 ◆由于外电路负载的限制，IA实际上会维持有限值。 2 晶闸管的基本特性 ■静态特性 ◆正常工作时的特性 ?当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通 。 ?当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通 。 ?晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用，不论门极触发电流是否还存在，晶闸管都保持导通 。 ?若要使已导通的晶闸管关断，只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。 ◆晶闸管的伏安特性 ?正向特性 √当IG=0时，如果在器件两端施加正向电压，则晶闸管处于正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过。 √如果正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通 。 √随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低