Pt底层对TbFeCo薄膜磁性能与磁光性能的影响.pdfVIP

稀响金属材料与工程 第37 卷第4 期 Vo I.37,No.4 2008 年 4 月 RARE METAL MATER1ALS AND ENGINEERING April2008 Pt 底层对 TbFeCo 薄膜磁性能与磁光性能的影晌 程伟明 1 ，李佐宜 1 ，杨晓非 1 ，黄致新 2，都俊兵 1 ，李 震 1 ，程晓敏1 ，林史琪 1 (1.华中科技大学，湖北武汉 430074) (2. 华中师范大学，湖北武汉 430079) 摘 要$采用射频磁控溅射法在玻璃慕片上制备了TbFeColPt非晶委直磁化膜，研究了 pt 底层对TbFeCo 薄膜磁性能 与磁光性能的影响.结果表明g 具有微小颗粒凹凸结构的民底黑可以显著增大TbFeCo 薄膜的慧11:磁各向异性场与矫 顽力，改善薄膜的磁光温度特性。 3是键词g 射频磁按溅射;Pt底磨; TbFeColPt非晶磊览磁化薄膜:矫顽力:克尔旋转角 中回法分吉隆号; TB43 文献标识码:A 文章编号: 1002斗的X(2008)04-0647心3 稀土过榄金属提俞薄膜具有较高的垂直磁各向异 了TbFeCo 薄膜的娇顽力，井认为 TbFeCo/ Ag 搏膜有 性、娇湖力和非晶结构、磁性能~调节等优点，被广 望用作热辅助磁记最介服。本3民跪在破璃基片上制备 泛应用于磁光记盖在领域[1]. TbFeCo 作为一种典型的稀 了TbFeCo IPt 薄膜，并对其磁性能均磁光性能进行了 土过搜金属复合薄膜，已成为第一代商用的磁光记最 研究。 介质(2).由于磁光记敢写入磁盹倍息受到入射激光波 1 实脆 长的限制，其记或苗度不能太高，目前商业用的 89mm 磁光盘也只有 2.3 G。光磁温和平F储技术[3]兼具磁光记 在玻璃基片上溅射TbFeCoIPt 薄膜。采用日本 Anelva 公司 SPF-430H 多靶磁控溅射系统溅射，采用 录与磁记求的优点，可以克服磁记录的超顺磁极限与 复合靶，基板水冷。薄膜成分由 FeCo 复合靶上放置 磁光记录位密度较低等不足，有望大幅度提高磁存储 的 Tb 条的位置与多少来调整，本底真空皮2.0xl0-4 容量，逐渐成为信息存储领域的一大热点。 光磁混和记录要求记录介质具有高的室祖娇现 Pa，溅射 Ar 气压为 0.26-4.0 Pa，基片与靶间距为 90 mm，融射功率 100-400 W. 为防止膜层的氧化，在 力，较高的室温饱和磁化强度，合适的居里温度与磁 保护层。整个膜层结构为 z 性能撤度特性。近年来，众多学者为提高磁光记录介 TbFeCo 薄膜外层覆蘸 Si0