【2017年整理】半导体照明技术学习考试资料.doc

1. GaP绿色LED的发光机理是什么，当氮掺杂浓度增加时，光谱有什么变化，为什么？GaP红色LED的发光机理是什么，发光峰值波长是多少？ 答：GaP绿色LED的发光机理是在GaP间接跃迁型半导体中掺入等电子陷阱杂质N，代替P原子的N原子可以俘获电子，又靠该电子的电荷俘获空穴，形成束缚激子，激子复合发光。当氮掺杂浓度增加时，总光通量增加，主波长向长波移动，这是因为此时有大量的氮对形成新的等电子陷阱，氮对束缚激子发光峰增加，且向长波移动。 GaP红色LED的发光机理是在GaP晶体中掺入ZnO对等电子陷阱，其发光峰值波长为700nm的红光。 2. 液相外延生长的原理是什么？一般分为哪两种方法，这两种方法 的区别在哪里？ 答：液相外延生长过程的基础是在液体溶剂中溶质的溶解度随温度 降低而减少，而且冷却与单晶相接触的初始饱和溶液时能够引起外 延沉积，在衬底上生长一个薄的外延层。 液相外延生长一般分为降温法和温度梯度法两种。降温法的瞬态生 长中，溶液与衬底组成的体系在均处于同一温度，并一同降温（在 衬底与溶液接触时的时间和温度上，以及接触后是继续降温还是保 持温度上，不同的技术有不同的处理）。而温度梯度法则是当体系 达到稳定状态后，整个体系的温度再不改变，而是在溶液表面和溶 液－衬底界面间建立稳定的温度梯度和浓度梯度。 3. 为何AlGaInP材料不能使用通常的气相外延和液相外延技术来制造？ 答：在尝试用液相外延生长AlGaInP时，由于AlP和InP的热力学稳定性的不同，液相外延的组分控制很困难。而当使用氢化物或氯化物气相外延时，会形成稳定的AlCl化合物，会在气相外延时阻碍含Al磷化物的成功生长。故AlGaInP材料不能用通常的气相外延和液相外延技术来制造。 4. 对三基色体系的白光LED，列出基色光源的三个最佳峰值波长。对荧光转换的白光LED和多芯片的白光LED，这三基色用什么方法来实现？ 答：三基色体系的白光LED，基色光源的三个最佳峰值波长分别为450nm、540nm和610nm。对荧光转换的白光LED，是用部分被吸收的AlInGaN芯片的蓝光和适当的绿光和橙红光两种荧光粉来实现。对多芯片白光LED，是用峰值波长600nm附近的AlGaInP基LED，以及峰值波长450nm和540nm的AlInGaN LED组成。 5. 简要说明LED封装技术发展三个阶段的时间范围、典型LED及其驱动电流、器件应用领域。 答：LED封装技术发展的3个阶段分别为： （1）1962~1989年期间，典型的LED为?3和?5的LED，驱动电流一般小于等于20mA，主要用做信号指示和显示。 （2）1990~1999年，发展了大光通量LED食人鱼和Snap，驱动电流在50~150mA，主要用于大型信号指示，如汽车信号灯、景观照明。 （3）2000年至今，研发和生产了功率型LED，电流≥350mA，开始用于照明，并开始了更大光通量输出的组件的研制和生产。 6. 画出透明衬底的AlGaInP LED的结构示意图，简要说明其芯片制造流程。 答：结构示意图如下图所示。 此LED结构用的是MOCVD生长在GaAs上的双异质结(AlxGa1-x)0.5In0.5P，并在结构上方VPE生长一个小于50μm厚的GaP窗层。在外延生长后，用通常的化学腐蚀技术移除GaAs吸收衬底，使双异质结结构的N型层暴露，再通过升高温度和加压，将晶片黏结到200~250μm厚的N型GaP衬底上。 1. 画出典型的具有GaP窗层和吸收衬底的双异质结AlGaInP LED的结构示意图，简述为什么需要使用电流扩展窗层。 答：结构示意图如下图所示。 为了使LED芯片获得高效的发光，电流扩展是主要关键之一，如 上图的结构，器件的上方覆盖了圆形的金属顶，电流从芯片的顶部 接触通过P型层流下到达结区，在结区发光。但是假如P型层的电 阻太高，电流将扩展很少，而仅仅限在金属之下，光仅仅发生在电极 之下，而且被芯片内部吸收。有效的最好性能的AlGaInP LED是在 通常的双异质结顶部再生长一个厚的P型窗层，而不用AlGaInP材 料。这个电流扩展窗层与AlGaInP相比，具有高的薄层电导率，而 且对发射光是透明的，可以达到很好的电流扩展效果。 4. LED作为城市景观照明中的首选光源的优点：①色彩丰富纯度高、 节能②响应时间短，瞬时达到全光输出，可深度调光③体积小、方向 性强④直流低压驱动，简化系统设计，降低电路成本⑤寿命长，工作 安全可靠，维护费用大大降低。景观常用LED灯具有护栏灯、树灯 5. LED的电学性能特点：LED是单向导电器件。LED是个具有PN结结构的半导体器件，具有势垒电势，所以就有导通阈值电压。LED的电流—电压特性是非线性的。LED的正向压降与PN结结温的温度系数为