【2017年整理】半导体物理复习提纲.doc

注意：后边的计算题中可能有错误！ N型半导体 P型半导体 两性半导体 直接（间接）带隙半导体 有效质量 准自由电子 简并半导体 非简并半导体 准连续能级 满带 价带 导带 禁带 共有化运动 简约布里渊区 布洛赫定理 导体 半导体 绝缘体 空穴 极化子 本证激发 热载流子 平衡状态 等能面 回旋共振实验 替位式杂质 填隙式杂质 施主杂质 受主杂质 深能级杂质 浅能级杂质 杂质的电离 络合中心 等电子中心 陷阱中心 点缺陷 线缺陷 面缺陷 体缺陷 位错 肖脱基缺陷 弗伦克尔缺陷 状态密度 费米能级 简并系统 非简并系统 有效状态密度 载流子浓度 本征半导体 杂质半导体 迁移率 电导（阻）率 极限工作温度 漂移运动 扩散运动 扩散长度 牵引长度 载流子的散射 散射几率 声学支格波 光学支格波 横波 纵波 声子 弹性散射 非弹性散射 等同能谷 谷间散射 欧姆定律 强场效应 耿氏效应 多能谷散射 RWH机构 负微分电导 平衡载流子 非平衡载流子 多数载流子 少数载流子 大注入 小注入 光注入 电注入 载流子的寿命 载流子的复合 准费米能级 复合中心 直接复合 间接复合 体内复合 表面复合 俄歇复合 弛豫时间 陷阱效应 扩散长度 牵引长度 连续性方程 爱因斯坦关系 PN结 同质结 异质结 突变结 缓变结 空间电荷区 接触电势差 半导体的击穿 雪崩击穿 齐纳击穿 隧道效应 势垒电容 扩散电容 功函数 半导体的表面 表面态 表面弛豫 表面重构 欧姆接触 整流接触 肖特基二极管 MOS MIS BJT FET LED J-FET MESFET MOSFET MODFET 典型物理效应 杂质补偿效应 强场效应 负阻效应 陷阱效应 隧道效应 霍尔效应 光生伏特效应 磁阻效应 热磁效应 光磁电效应 压阻效应 基本物理定律 杂化轨道理论 费米能级随杂质的变化规律 费米能级随温度的变化规律 载流子的迁移率与杂质浓度的变化规律 载流子的迁移率与温度的变化规律 半导体的电导（阻）率随杂质浓度的变化规律 半导体的电导（阻）率随温度的变化规律 半导体中载流子的散射机构 PN结的能带结构 以下不考： PN结的伏安关系 隧道结的能带结构 金属—半导体接触时的能带结构 雪崩击穿和隧道击穿的不同特点 半导体表面的空间电场 重要的物理应用 半导体的能带结构分析及重要的物理量的计算 半导体中载流子浓度的计算 半导体中费米能级的计算 半导体中电导（阻）率的计算 半导体中电离度与温度关系的计算 载流子的连续性方程的典型应用 半导体—半导体接触时的能带结构分析 金属—半导体接触时的能带结构分析 金属—氧化物—半导体接触时的能带结构分析 金属—绝缘体—半导体接触时的能带结构分析 典型例题 名词解释 施主与受主 直接带隙与间接带隙 简并与非简并半导体 少子与多子 表面重构与表面弛豫 空穴与空位 少子寿命与扩散长度 杂质与杂质能级 本征半导体 杂质带导电 电中性条件 禁带窄化效应 负阻效应 直接复合与间接复合 简答题 什么叫浅能级杂质？它们电离和有什么特点？ 漂移运动与扩散运动之间有什么联系？非简并半导体的迁移率与扩散系数有什么联系？ 何谓非平衡载流子？非平衡状态与平衡状态的差异何在？ 何谓迁移率？影响迁移率的主要因素有哪些？ 何谓本征半导体？为什么制造半导体器件一般都用含有适当杂质的半导体？ 简要说明什么是载流子的漂移运动、扩散运动和热运动？它们有何不同？ 就你在任何知识渠道所获得的信息，举出一个例子来说明与半导体物理相关的知识进展。 简述PN结的形成及平衡PN结的特点。 简述杂质电离随温度的变化关系。 在半导体中，费米能级标志了什么？它与哪些因素有关？ 简述浅能级杂质和深能级杂质的主要区别。 简述金半结的形成过程及金半接触的类型。 分析题 画出GaAs的能带结构简图，并分析GaAs的负微分电导现象。 画出适当掺杂硅样品的电阻率随温度的变化关系曲线，分析说明不同温度时电阻率与温度的关系。 ××分别画出金属与N型半导体材料的等能带图（WmWs),分析金半结的....并画出金半结的能带图（不考虑表面态）。 √√画出Si和GaAs的能带结构简图，并分析其能带结构特点。 分别画出同种半导体材料N型、P型半导体的能带图和平衡PN结的能带图，简述PN结的形成过程。 试画出锗的能带结构，并标出其中的禁带宽度。 计算证明 已知硅具有金刚石结构，实验测得其晶格常数a=0.543nm,试求其原子密度。 掺磷的N型硅，已知磷的电离能为0.04eV，求室温下杂质一半电离时费 位置和磷的浓度