复合半导体光催化剂p-CoOn-CdS的制备、表征及光催化性能.pdfVIP

理化学学报(Wuli Huaxue Xuebao) 2726 A cta Phys. Chim. Sin., 2010, 26(10) ：2726-2732 October [Article] 复合半导体光催化剂p CoO/n CdS 的制备、表征及光催化性能 杜欢1 王 晟2 刘恋恋1 刘忠祥1 李 振1 卢 南1 刘福生1 1 2 ( 南京林业大学理学院化学与材料科学系, 南京 210037; 南京工业大学化学化工学院, 南京 210009) 摘要： 以醋酸镉、十二硫醇、硬脂酸和醋酸钴等为原料, 采用新方法制备了CdS 和一系列p CoO/n CdS 复合半 导体光催化剂. 用X 射线衍射(XRD) 、扫描电子显微镜(SEM) 、透射电子显微镜(TEM) 、N2 吸附脱附和紫外可见 漫反射光谱(UV Vis DRS)等对产物进行了表征. 结果表明, p CoO/n CdS 复合半导体中, CoO 粒子紧密结合 CdS 颗粒上, CdS 的颗粒粒径 100 nm 左右, 为六方纤锌矿晶型, CoO 的颗粒粒径 10 nm 左右, 颗粒粒径分布 均匀. p CoO/n CdS 的UV Vis DRS 分析结果表明, 400-550 nm 范围内都有一强吸收带, 属于CdS 可见光 区的特征吸收. 用光催化降解甲基橙测试了光催化性能, 结果表明, p CoO/n CdS 光催化活性是CdS 光催化活性 的2.2 倍左右. 光腐蚀测试结果表明, CdS 的光腐蚀速率是p CoO/n CdS 中CdS 光腐蚀速率的2 倍以上, 说明 CoO 与CdS 复合对CdS 的光腐蚀具有明显的抑制作用. 关键词： 光催化; p n 复合半导体; 氧化钴; 硫化镉; 表征 中图分类号： O643 Preparation, Characterization and Photocatalytic Property of p CoO/n CdS Compound Semiconductor Photocatalyst DU Huan1 WANG Sheng2 LIU Lian Lian1 LIU Zhong Xiang1 LI Zhen1 LU Nan LIU Fu Sheng1, 1 ( Department of Chemistry and Materials Science, College of Science, Nanji ng Forestry University, Nanji ng 210037, P. R. China; 2College of Chemistry and Chemical Engineering, Nanj ing University of Technology, Nanji ng 210009, P.