多孔硅中金属钯的电沉积与表征.pdfVIP

Vol.33 No.唱 6 .幢幢第16 期 @主妇惊 【工艺开发】 多孔硅中金属锦的电沉积与表征 邓建 l ，胡睿 l ，*，张会 l ，张照云 2 ，杨玉青 l (1.中国工程物理研究院核物理与化学研究所，四川绵阳 621900; 2. 中国工程物理研究院电子工程研究所，四川绵阳 621900) 摘要z 采用电沉积法对自制大深径比盲孔(直径 7.7 - 7.8μm， 无需看管等优点，可充当未来微系统(MS) 的微(小)型 深度 78 阳n) 多孔硅进行金属在巴填充。镀液组成和工艺条件为: 供电电源[1-4] 。本项目组从 21 世纪初开始一直致力于 PdCI 8.8 glL. KCI 15.0 gIL, NH .H 0 50 mL凡，乙醇和水各 2 3 2 辐伏同位素电池的研制，制备的氯电池己能实现约 50%(体积分数)， pH 8 - 9 ，电压 15 V，也流1.5 mA，惰性气 3 0.05 mW/cm 的持续电输出，但与目前发达国家提出的 体搅拌，时间 17 h. 采用扫描电镜和能谱仪分析了4巴在多孔硅 3 1 mW/cm ) 相比，还存在一 微系统供电要求(功率密度 中的填充情况。结果表明，金属在已在多孔硅盲孔中实现了满载 填充，并在孔的外表面也有沉积。本工艺镀液组成简单，为制 定差距。美国 BetaBatt 公司提出，将氟化高分子聚合 备三维硅基frR.电池提供了技术基础。 物填充到三维多孔硅基器件中可使侃电池的功率密度 关键词z 多孔硅;盲.:fL; 4巴;电镀 3 提高到 0.05 - 0 .1 25 mW/cm 。笔者认为，先借助电镀 中圄分类号: TQ153.12 文献标志码:A 文章编号: 1004 - 227X (2014) 16 - 0698 - 03 法将具备载焦功能的金属钮填充到三维多孔硅基器件 Electrodeposition of metallic palladium on porous 的盲孔中，使单位面积器件的坦加载量提高 10 倍以上， silicon and its characterization // DENG Jian , HU Ru沪， 再通过钮吸附，可使佩电池的功率密度提高 10 倍以上。 ZHANG Hui , ZHANG Zhao-严m， YANG